[发明专利]发光装置的制造方法在审
| 申请号： | 201210314475.9 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103022322A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边美保;别田惣彦;田中裕隆 | 申请（专利权）人： | 东芝照明技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
第一步骤，将发光元件(3)搭载在基板(1)上；以及
第二步骤，使微米级的荧光体粒子分散于液状透明树脂，对该分散液进行静电涂布或静电喷雾，而在所述发光元件(3)的上表面形成含有所述荧光体粒子的层，所述微米级的荧光体粒子被从所述发光元件(3)放射出的光激发而发光。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述第一步骤中，所述发光元件(3)是面朝下地搭载在所述基板(1)上，
在所述第二步骤中，从所述发光元件(3)的上表面跨越至侧面，均一地形成包含所述荧光体粒子的层。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述第一步骤中，所述发光元件(3)是面朝上地搭载在所述基板(1)上，
在所述第二步骤中，也在所述发光元件的上表面、及除了该上表面上所设置的元件电极(3c)之外的与所述上表面相连的角部(3d)上，形成包含所述荧光体粒子的层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
在所述第二步骤中，进一步使次微米级的导热性填料及所述荧光体粒子分散于所述分散液。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述第二步骤包括：
对分散有第一荧光体粒子的第一分散液进行静电涂布或静电喷雾的步骤；以及
对分散有第二荧光体粒子的第二分散液进行静电涂布或静电喷雾的步骤。
6.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述基板(1)具有0.5mm～1.5mm的厚度，且25℃的导热率为30W/m·K以上。
7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述荧光体粒子的平均粒径为3μm～20μm。
8.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述荧光体粒子的平均粒径为3μm～10μm。
9.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述分散液使用组成不同的两种以上的分散液，且含有根据区域而有所不同的荧光体。
10.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于：
所述导热性填料包含：二氧化硅、氧化钽(TaO)、以及氧化锌(ZnO)中的任一种无机填料，且粒径小于所述荧光体的粒径。
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