[发明专利]无核心封装基板及其制法有效
申请号: | 201210315143.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN103681586A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 陈明志;胡迪群;王琮熙 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48;H05K1/02;H05K3/46 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 核心 封装 及其 制法 | ||
1.一种无核心封装基板,其包括:
第一介电层,其具有相对的第一表面与第二表面;
多个金属柱,其埋设于该第一介电层中,并具有相对的第一端面与第二端面,该第一介电层的第一表面具有多个对应外露各该金属柱的部份第一端面的第一盲孔,且各该金属柱的第二端面完全外露于该第一介电层的第二表面,该金属柱并具100微米以上的高度;
增层结构,其设于该第一介电层的第一表面上,该增层结构包括至少一第二介电层、形成于该第二介电层上的线路层、多个形成于该第二介电层中的第二盲孔、与多个形成于该第二盲孔内且电性连接该线路层的导电盲孔,且该增层结构底层的各该导电盲孔对应延伸至各该第一盲孔内,以电性连接各该金属柱的第一端面;以及
绝缘保护层,其形成于该第一介电层的第二表面上,且形成有多个对应外露各该金属柱的部份第二端面的绝缘保护层开孔。
2.根据权利要求1所述的无核心封装基板,其特征在于,该无核心封装基板还包括表面处理层,其形成于外露出该绝缘保护层开孔的金属柱的部份第二端面与该增层结构顶层的部分线路层上。
3.根据权利要求1所述的无核心封装基板,其特征在于,该增层结构底层的各该导电盲孔具有与各该第二盲孔接触的上部份与各该第一盲孔接触的下部份,且所接触的第二盲孔的侧壁与所接触的第一盲孔的侧壁相连接,或者,该增层结构底层的各该导电盲孔接触该第二盲孔而未接触该第一盲孔,且所接触的第二盲孔的下部份的孔径小于该第一盲孔的孔径并设于该第一盲孔之内。
4.根据权利要求1所述的无核心封装基板,其特征在于,该金属柱的第一端面小于该金属柱的第二端面。
5.根据权利要求4所述的无核心封装基板,其特征在于,该金属柱的连接该第一端面与第二端面的侧壁为内凹的曲面。
6.一种无核心封装基板的制法,其包括:
提供一承载件,其至少一表面上依序形成有蚀刻终止层与第二金属层;
于该第二金属层上形成阻层,该阻层具有多个外露该第二金属层的阻层开孔;
蚀刻移除该阻层开孔中的第二金属层,而形成多个金属柱;
移除该阻层,而外露该金属柱原为该阻层所覆盖的第一端面;
于该蚀刻终止层上形成包覆该等金属柱的第一介电层;
于该第一介电层上形成增层结构,该增层结构包括至少一第二介电层、形成于该第二介电层上的线路层、多个形成于该第二介电层中的第二盲孔、与多个形成于该第二盲孔内且电性连接该线路层的导电盲孔,且该第一介电层形成有对应外露各该金属柱的部份第一端面的多个第一盲孔,且该增层结构底层的各该导电盲孔对应延伸至各该第一盲孔内并电性连接各该金属柱的第一端面;
移除该承载件;以及
移除部分该蚀刻终止层,以形成多个对应外露各该金属柱的部份第二端面的蚀刻终止层开孔。
7.根据权利要求6所述的无核心封装基板的制法,其特征在于,该制法还包括于该蚀刻终止层开孔所外露的金属柱的部份第二端面与该增层结构顶层的外露的该线路层上形成表面处理层。
8.根据权利要求6所述的无核心封装基板的制法,其特征在于,该承载件包括承载板及形成于该承载板的至少一表面上的金属箔。
9.根据权利要求6所述的无核心封装基板的制法,其特征在于,该第一盲孔是于形成该增层结构之前形成,且该增层结构底层的各该导电盲孔接触该第二盲孔而未接触该第一盲孔,且所接触的第二盲孔的下部份的孔径小于该第一盲孔的孔径并设于该第一盲孔之内,或者,该第一盲孔是与该增层结构底层的第二介电层的第二盲孔同时形成,且该增层结构底层的各该导电盲孔具有与各该第二盲孔接触的上部份与各该第一盲孔接触的下部份,且所接触的第二盲孔的侧壁与所接触的第一盲孔的侧壁相连接。
10.根据权利要求6所述的无核心封装基板的制法,其特征在于,该第一金属层包括依序层叠的第一子金属层与第二子金属层,且该第二子金属层还形成于该承载件、离型层与第一子金属层的侧表面上。
11.根据权利要求6所述的无核心封装基板的制法,其特征在于,该承载件上还依序形成有离型层与第一金属层,该蚀刻终止层位于该第一金属层与第二金属层之间,且移除该承载件还包括移除该离型层与第一金属层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210315143.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。