[发明专利]无核心封装基板及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装基板及其制法，尤指一种无核心封装基板及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐朝向多功能与高效能的趋势。为了满足半导体封装件的高整合度（integration）及微型化（miniaturization）的封装需求，以供更多主、被动组件及线路的载接，半导体封装基板也逐渐由双层电路板演变成多层电路板（multi-layer board），从而于有限的空间下运用层间连接技术（interlayer connection）以扩大半导体封装基板上可供利用的线路布局面积，并能配合高线路密度的集成电路（integrated circuit）的使用需求，且降低封装基板的厚度，而能使封装件达到轻薄短小及提高电性功能的目的。

现有技术中，封装基板由一核心板及对称形成于其两侧的线路增层结构所构成，因使用核心板将导致导电路径的长度及整体结构的厚度增加，难以满足电子产品功能不断提升与体积不断缩小的需求，遂发展出无核心层（coreless）结构的封装基板，而能缩短导电路径的长度及降低整体结构的厚度以符合高频化与微小化的趋势。

现有无核心层封装基板（例如第200730062号中国台湾专利）为了抑制翘曲产生，其线路增层方式需要电镀高厚度的铜；然而，电镀形成高厚度的铜容易有均匀性不佳、成本高与产率低等问题，导致整体良率较低。

因此，如何克服上述现有技术中的均匀性不佳、良率较低与成本较高的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明的主要目的在于揭露一种无核心封装基板及其制法，其具有整体良率较高、成本较低与抑制翘曲等优点。

本发明的无核心封装基板包括：第一介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；多个金属柱，其埋设于该第一介电层中，并具有相对的第一端面与第二端面，且该第一介电层的第一表面具有多个对应外露各该金属柱的部份第一端面的第一盲孔，各该金属柱的第二端面完全外露于该第一介电层的第二表面，该金属柱的高度为100微米以上；增层结构，其设于该第一介电层的第一表面上，该增层结构包括至少一第二介电层、形成于该第二介电层上的线路层、多个形成于该第二介电层中的第二盲孔、与多个形成于该第二盲孔内且电性连接该线路层的导电盲孔，且该增层结构底层的各该导电盲孔对应延伸至各该第一盲孔内并电性连接各该金属柱的第一端面；以及绝缘保护层，其形成于该第一介电层的第二表面上，且形成有多个对应外露各该金属柱的部份第二端面的绝缘保护层开孔。

本发明还揭露一种无核心封装基板的制法，其包括：提供一承载件，其至少一表面上依序形成有蚀刻终止层与第二金属层；于该第二金属层上形成阻层，该阻层具有多个外露该第二金属层的阻层开孔；蚀刻移除该阻层开孔中的第二金属层，而形成多个金属柱；移除该阻层，而外露该金属柱原为该阻层所覆盖的第一端面；于该蚀刻终止层上形成包覆该等金属柱的第一介电层；于该第一介电层上形成增层结构，该增层结构包括至少一第二介电层、形成于该第二介电层上的线路层、多个形成于该第二介电层中的第二盲孔、与多个形成于该第二盲孔内且电性连接该线路层的导电盲孔，且该第一介电层形成有对应外露各该金属柱的部份第一端面的多个第一盲孔，且该增层结构底层的各该导电盲孔对应延伸至各该第一盲孔内并电性连接各该金属柱的第一端面；移除该承载件；以及移除部分该蚀刻终止层，以形成多个对应外露各该金属柱的部份第二端面的蚀刻终止层开孔。

由上可知，本发明以例如ABF做为蚀刻终止层的材质，因而不需电镀厚铜的步骤，进而解决现有技术的厚铜均匀性不佳、成本高、产率低及应力高等问题，使得本发明的无核心封装基板具有整体良率较高、成本较低与抑制翘曲等优点。

附图说明

图1A至图1P所示者为本发明的无核心封装基板及其制法的第一实施例的剖视图，其中，图1P为图1O的应用例。

图2A至图2D所示者为本发明的无核心封装基板及其制法的第二实施例的剖视图。

主要组件符号说明

10     承载件

100    承载板

101    金属箔

11     离型层

12     第一金属层

121    第一子金属层

122    第二子金属层

13     蚀刻终止层

130    蚀刻终止层开孔

14     第二金属层

141    金属柱

141a   第一端面

141b   第二端面