[发明专利]一种载流子储存槽栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201210315629.6 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102800691A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;齐跃;汪志刚;张波;李泽宏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 储存 槽栅双极型 晶体管 | ||
1.一种载流子储存槽栅双极型晶体管，包括集电极结构、漂移区结构、发射极结构和栅极结构；所述集电极结构包括P+集电区（10）和P+集电区（10）背面的金属化集电极（11）；所述漂移区结构包括位于P+集电区（10）正面的N-层（1）；所述栅极结构为沟槽栅结构，位于N-层（1）顶层两侧，由沟槽型多晶硅栅、沟槽型多晶硅栅表面的金属化栅极（4）和沟槽型多晶硅栅侧面及底面的栅氧化层（3）构成；所述发射极结构包括P型基区（2）、位于P型基区（2）顶部两侧的N+发射区（5）、位于P型基区（2）顶部中间的P+接触区、与N+发射区（5）和P+接触区表面接触的金属化发射极（6），以及位于P型基区（2）和N-层（1）之间的N+载流子存储层（7）；所述栅极结构中的栅氧化层（3）侧面分别与N+发射区（5）、P型基区（2）和N+载流子存储层（7）接触，所述栅极结构中的栅氧化层（3）底面与N-层（1）接触；其特征在于，所述N+载流子存储层（7）中还具有若干个均匀分布的P+条（8）；所述P+条（8）的顶面与P型基区（2）接触、底面与N-层（1）接触,且其长度方向平行于整个器件的宽度方向。
2.根据权利要求1所述的载流子储存槽栅双极型晶体管，其特征在于，所述P+条（8）由离子注入及高温推结工艺形成。
3.根据权利要求1所述的载流子储存槽栅双极型晶体管，其特征在于，所述P+条（8）的数目、掺杂浓度、长宽尺寸以及相邻两条P+条（8）之间的间距可根据对电场调制的要求进行优化取值。
4.根据权利要求1所述的载流子储存槽栅双极型晶体管，其特征在于，所述漂移区结构为PT型或FS型漂移区结构，即在漂移区结构的N-层（1）和集电极结构的P+集电区（10）之间还具有一层N+缓冲层（9）。
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