[发明专利]一种高磁感取向硅钢及其制造方法有效
申请号: | 201210315658.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102787276A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 章华兵;李国保;卢锡江;杨勇杰;胡卓超;沈侃毅;高加强;吴美洪 | 申请(专利权)人: | 宝山钢铁股份有限公司 |
主分类号: | C22C38/34 | 分类号: | C22C38/34;C21D1/26;C21D3/04;C21D8/12 |
代理公司: | 上海东信专利商标事务所 31228 | 代理人: | 杨丹莉 |
地址: | 201900 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高磁感 取向 硅钢 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种钢板及其制造方法,尤其涉及一种硅钢及其制造方法。
背景技术
传统高磁感取向硅钢的基本化学成分为Si2.0~4.5%,C0.03~0.10%,Mn0.03~0.2%,S0.005~0.050%,Als(酸溶铝)0.02~0.05%,N0.003~0.012%,有的成分体系还含有Cu、Mo、Sb、B、Bi等元素中的一种或多种。
传统高磁感取向硅钢的制造方法为:首先用转炉(或电炉)炼钢,经二次精炼及合金化,连铸成板坯;接着板坯在专用高温加热炉内加热到约1400℃,并保温45min以上,使有利夹杂物充分固溶;然后进行热轧,层流冷却后卷取,在热轧板常化过程中硅钢基体内析出细小、弥散的第二相质点,获得有效抑制剂;再将热轧板冷轧到成品厚度后脱碳退火,把钢板中的[C]脱到不影响成品磁性能的程度(一般应在30ppm以下),并涂布以MgO为主要成分的退火隔离剂;再次进行高温退火,在高温退火过程中,钢板发生二次再结晶、形成硅酸镁底层并完成净化处理(除去钢中的S、N等对磁性有害的元素),获得取向度高、铁损低的高磁感取向硅钢;最后经过涂布绝缘涂层和拉伸退火,得到商业应用形态的取向硅钢产品。
传统高磁感取向硅钢制造方法的不足在于:为了使抑制剂充分固溶,加热温度最高需达到1400℃,这是传统加热炉的极限水平。此外,由于加热温度高,烧损大、加热炉需频繁修补,利用率低。同时,能耗高,热轧卷的边裂大,致使冷轧工序生产困难,成材率低,成本也高。
鉴于存在上述这些问题,在该技术领域内开展了大量降低取向硅钢加热温度的研究。按照板坯加热温度范围来区分,其主要改进路径有两种:一种是中温板坯加热工艺,板坯加热温度在1250~1320℃,采用AlN和Cu作为抑制剂;另一种是低温板坯加热工艺,板坯加热温度在1100~1250℃,采用渗氮方法导入抑制剂。
目前,低温板坯加热工艺发展较快,例如采用在1200℃以下进行板坯加热,最终冷轧采用冷轧压下率大于80%,并在脱碳退火过程中采用氨气进行连续渗氮处理,经高温退火获得取向度较高的二次再结晶晶粒。该制造工艺的优点是可以实现较低成本地生产高磁感取向硅钢(HiB),该硅钢的典型磁感B8为1.88~1.92T。
低温板坯加热工艺抑制剂主要来源于脱碳退火后通过渗氮处理,使氮与钢中原有的铝结合,形成细小弥散的(Al,Si)N、(Mn,Si)N质点。同时,抑制剂还来源于板坯中已有的夹杂物,这些夹杂物在炼钢浇铸过程中形成,在板坯加热过程部分固溶并在轧制过程中析出,常化退火调整夹杂物形态,对初次再结晶有着重要影响从而也会影响最终产品的磁性能。当初次晶粒尺寸与抑制力水平匹配时,二次再结晶予以完善,最终产品的磁性能优良。常化过程中析出的氮化物抑制剂虽然受到板坯中夹杂物形态的影响,但是板坯中夹杂物形态的控制是相当困难的,例如,在浇铸过程中形成粗大的AlN在后续退火中难以固溶,导致初次晶粒尺寸稳定性控制的难度大,稳定获得磁感B8≥1.93T的高等级HiB产品的概率低。此外,在成品厚度确定的条件下,通常采取的一些进一步降低铁损的措施会导致磁感的降低,例如,提高Si含量或激光刻痕等。磁感的降低使得这些降低铁损的方法应用范围受限。另一些提高磁感B8的方法,如在脱碳退火过程中快速加热,则需要新增快速感应加热或通电加热等专用设备,投资成本增加。另外,快速升温会增加成品底层缺陷,尤其是亮点状缺陷的发生率。
专利公开号为CN1138107A,公开日为1996年12月18日,名称为“高磁通密度低铁损晶粒取向的电磁钢板及其制造方法”的中国专利文献公开了一种电磁钢板,其含有Si:2.5~4.0wt%,Al:0.005~0.06wt%,并且该钢板的各个晶粒之中,按面积率计,至少95%由直径为5~50mm的粗大的二次再结晶晶粒组成,其(001)轴相对于该钢板的轧制方向在5°以内,而(001)轴相对于板面垂直方向在5°以内;在这种粗大的二次再结晶晶粒中或者晶界中,存在直径为0.05~2mm的细小晶粒,其(001)轴与粗大的二次晶粒的(001)轴的相对角度在2~30°。
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