[发明专利]一种GaN外延或衬底的制作方法

权利要求书

1.一种GaN外延的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅衬底上生长缓冲层；

2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；

3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；

4）去除光刻胶；

5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；

6）GaN外延生长。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述缓冲层为AlN,Al₂O₃,GaN,AlAs，GaAs中的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤1）中，所述缓冲层采用MOCVD或ALD方法生长，所述缓冲层的厚度为10-200nm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中，所述在缓冲层上形成定义图形为多个圆形区域，各个圆形区域的半径为0.01-100微米，间距为0.1-100微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述孔洞的表面为圆形，半径为0.01-100微米，各孔洞的间距为0.1-100微米，孔洞的深度为0.1-10微米。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述孔洞的表面为圆形，半径为3微米，各孔洞的间距为5微米，孔洞的深度为5微米。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中，所述热氧化的温度为500-1200℃，压力为0.01-760Torr；所述氧化硅的厚度为10-500nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6）中，GaN只在缓冲层上生长，在硅衬底孔洞内表面因有氧化硅覆盖，不生长GaN。

9.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，步骤6）中，所述GaN外延生长采用MOCVD的方法，在700-1300℃下，以H₂为载气通入三甲基镓和NH₃，形成10nm-500μm厚度的GaN。

10.一种GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括权利要求1所述的步骤1）-步骤6），且在步骤6）之后增加如下步骤：采用湿法刻蚀或背面减薄的方法去除硅衬底，以形成GaN衬底。