[发明专利]基板处理装置和成膜装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：

处理容器；

旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于作为其他区域的旋转台主体的热容量的方式构成；

加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述基板载置部含有比热容小于构成旋转台的上述旋转台主体的主要材料的比热容的材料作为主要成分。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在上述旋转台主体的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有贯通开口部，上述基板载置部以覆盖上述旋转台主体的上述贯通开口部的方式形成。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述基板载置部以相对于上述旋转台主体装卸自如的方式构成。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在上述旋转台的上述另一面侧的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有凹部。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在上述基板载置部上设有多个热容量降低用贯通孔，该热容量降低用贯通孔从上述旋转台的上述一面侧贯通到上述另一面侧。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

在上述基板载置部上，不仅设有上述多个热容量降低用贯通孔，还设有多个销贯穿用贯通孔，该多个销贯穿用贯通孔供用于使载置在上述基板载置部上的基板相对于该基板载置部上升和下降的升降销通过。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

在上述旋转台的上述一面侧的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有用于收纳上述基板的凹部。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述旋转台主体由石英构成。

10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，

上述基板载置部由氮化铝、碳化硅构成。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述旋转台包括沿着旋转方向设置的多个上述基板载置区域，在各上述基板载置区域上分别设有上述基板载置部。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述基板载置部以从上述旋转台的一面侧到另一面侧的方式构成。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置还包括：

多个反应气体供给部，其分别用于向载置在上述旋转台上的基板供给反应气体；

分离区域，其设于上述多个反应气体供给部之间，用于将由上述多个反应气体供给部供给的反应气体相互分开；

排气口，其用于对上述处理容器内进行排气。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述基板载置部含有导热系数高于构成旋转台的其他区域的主要材料的导热系数的材料作为主要成分。

15.一种成膜装置，其用于在基板上形成薄膜，其中，该成膜装置包括：

处理容器；

旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部由热容量小于其他区域的热容量的材料构成；

加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。