[发明专利]基板处理装置和成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置和成膜装置。

背景技术

作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下工艺：在真空气氛下使第1反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆（以下，称作“晶圆”）等的表面上之后，将所供给的气体切换为第2反应气体，通过两气体反应而形成1层或多层的原子层、分子层，多次进行该循环，从而对上述层进行层叠，在基板上进行成膜。该工艺被称作例如原子层沉积（ALD：Atomic Layer Deposition）、分子层沉积（MLD：Molecular Layer Deposition）等。

这种成膜方法能够应用在例如用于栅极氧化膜的氧化硅膜、高电介质膜的成膜中。列举一个例子来说，当形成氧化硅膜（SiO₂膜）时，作为第1反应气体（原料气体），例如使用双叔丁基氨基硅烷（以下，称作“BTBAS”）气体等，作为第2反应气体（氧化气体），使用臭氧气体等。

作为实施这种成膜方法的装置，研究了使用以下装置，该装置包括：旋转台，在真空容器内将晶圆载置于该旋转台的表面；处理区域，其沿旋转台的旋转方向设置，用于分别供给反应气体；分离区域，其用于防止反应气体在旋转方向上的处理区域之间彼此混合。并且，在进行成膜处理时，利用设于旋转台的背面侧的加热器的辐射热隔着旋转台将晶圆W加热。

当在该成膜装置中反复进行成膜处理时，在旋转台的表面、真空容器的内壁沉积有反应气体产生的生成物。因此，通过对真空容器内供给规定的蚀刻用气体等清洁（cleaning）气体来进行去除沉积物的清洁处理。为了抑制由清洁气体造成的腐蚀，旋转台需要由对所使用的清洁气体具有较高的耐腐蚀性的材料构成。

但是，在重视对清洁气体具有耐腐蚀性的大小的前提下选择了旋转台的材料的情况下，有时旋转台的热容量会变大。若旋转台的热容量变大，则向载置在旋转台上的晶圆的导热性变低，在成膜处理时用于将晶圆加热至规定温度的时间变长。因此，有可能使装置的生产率降低。

在专利文献1中，记载有一种为了使基板的温度分布均匀而使基座的厚度沿基板的径向变化的技术。在专利文献2中，记载了一种设有加强用的肋的基座。但是，在上述专利文献中并未记载有上述那样的问题，并不能解决该问题。

专利文献1：日本特许第2514788

专利文献2：日本特开2002-256439

发明内容

本发明是在这种情况下提出的，其目的在于提供一种能够快速加热被载置在旋转台上的基板的技术。

本发明的一技术方案提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于作为其他区域的旋转台主体的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。

本发明的另一技术方案提供一种成膜装置，其用于在基板上形成薄膜，该成膜装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部由热容量小于其他区域的热容量的材料构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。

附图说明

图1是实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。

图2是实施方式的成膜装置的立体图。

图3是实施方式的成膜装置的横剖俯视图。

图4是旋转台的旋转台主体的纵剖侧视图。

图5是旋转台的表面侧分解立体图。

图6是旋转台的背面侧立体图。

图7是表示形成在上述成膜装置中的气流的说明图。

图8是另一旋转台的纵剖侧视图。

图9是再一旋转台的立体图。

具体实施方式

图1是成膜装置1的纵剖侧视图，图2是成膜装置1的立体图，图3是成膜装置1的横剖俯视图。

成膜装置1用于对作为基板的晶圆W进行原子层沉积（ALD）及分子层沉积（MLD）。成膜装置1包括大致圆形状的扁平的真空容器（处理容器）11、水平设置在真空容器11内的圆形的旋转台2、旋转驱动机构14、作为加热部的加热器41、屏蔽件42、排气口36。

真空容器11设置在大气气氛中，其包括：顶板12；容器主体13，其构成真空容器11的侧壁及底部；密封构件11a，其用于将真空容器11内保持为气密；罩13a，其用于封堵容器主体13的中央部。