[发明专利]线性电机和包括线性电机的光刻布置

说明书

技术领域

本发明涉及光刻设备和照射均匀性校正系统。本发明主要涉及光刻术，且尤其涉及对照射不规则性的校正，以便在集成电路的光刻期间在交叉扫描方向上产生均匀的束。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成对应所述IC的单层的电路图案，并且可以将该图案转移到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

通常，光刻设备包括照射系统，其布置用以在辐射入射到图案形成装置之前调节由辐射源产生的辐射。所述照射系统可以例如修改辐射的一个或更多个特性，例如偏振和/或照射模式。所述照射系统可以包括均匀性校正系统，其布置用以校正或减小存在于辐射中的非均匀性，例如强度非均匀性。所述均匀性校正装置可以运用插入辐射束边缘的致动指状物来校正强度变化。然而，能够被校正的强度变化中的空间周期的宽度依赖于用来移动均匀性校正系统的指状物的致动装置的尺寸。此外，在某些情况下，如果用于校正辐射束的不规则性的指状物的尺寸或形状被修改，则所述均匀性校正系统可能以不想要的方式累及或修改辐射束的一个或更多个特性，比如由辐射束形成的光瞳。

光刻术被广泛地认为是制造集成电路(IC)以及其他器件和/或结构中的关键过程或工艺。光刻设备是一种在光刻术中使用的机器，其将所需的图案应用到衬底上，比如应用到衬底的目标部分上。在用光刻设备制造IC期间，图案形成装置(其可选地称为掩模或掩模版)在IC的单层上形成电路图案。这个图案能够转移到衬底(例如，硅衬底)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)。通常，图案的转移是通过将图像成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(例如，抗蚀剂)的层来实现的。通常，单独的衬底包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。为了降低IC的制造成本，通常曝光每个IC的多个衬底。同样，还通常几乎不变地使用光刻设备。即，为了将所有类型的IC的制造成本保持在可能的最低程度，还最小化衬底曝光之间的空闲时间。结果，所述光刻设备吸收引起所述设备的部件的膨胀的热，这种热可能导致漂移、移动和均匀性变化。

为了在图案形成装置和衬底上保证好的成像品质，最小化或消除照射不规则性是有利的。执行其的一种方法是通过将“指状件”在适合的位置(甚至在照射的外面)插入到照射束中。各种机电子系统布置被用于或提出以为了束扫描而将指状件操纵到适合的位置上以及在不需要它们时将这些指状件从束路径移出。

市场要求用于操纵指状件的位置的子系统在光刻装置的环境中可靠地操作，使得光刻设备可以尽可能有效地执行光刻过程，以最大化制造能力和保持每一器件低的制造成本和保养费用。

附图说明

这里附图并入说明书并且形成说明书的一部分，这些附图示出本发明并且和说明书一起进一步用来说明本发明的原理，以允许本领域技术人员能够实施和使用本发明。

图1A和1B分别示出具有均匀性补偿器以及相关的传感器的反射式和透射式光刻设备。

图2是示例性的极紫外(EUV)光刻设备的示意图。

图3是具有“指状件”的IIC子系统300的补偿器子系统的机械部分的分解视图，所述“指状件”被移动到投影束中的促进均匀性的位置上。

图4是补偿器子系统的一部分的结构的剖视透视图，其显示在使用中的移动方向。

图5是用于操作图3和4中显示的补偿器子系统的控制系统的方块图。

图6是线性电机布置的实施例的示意图，该线性电机布置可以替代图3和4中显示的补偿器子系统的一部分。

图7是线性电机布置的实施例的示意图，该线性电机布置可以替代图3和4中显示的补偿器子系统的一部分。

图8是用于操作包括图6和7中显示的实施例的补偿器子系统的控制系统的方块图。

图9示出一个计算机系统1500的示例，其中本发明的实施例或其中的一些部分可以实现为计算机可读代码。