[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201210317296.0 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103137674A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 久保昌彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体基板；
设于所述半导体基板的一个面侧的第2导电型的第1半导体层；
设于所述第1半导体层的第1导电型的第2半导体层；
具有以与所述第1半导体层相对的方式设置的第1开口部及以与所述第2半导体层相对的方式设置的第2开口部、并设于所述半导体基板的一个面的第1绝缘膜；
设于所述第1绝缘膜上并在所述第1开口部和所述第2开口部之间具有至少一个以上第3开口部的第2绝缘膜；
设于所述半导体基板的另一面的第1主电极；
设于所述第1开口部的第2主电极；以及
设于所述第2开口部和所述第3开口部的第3主电极。
2.根据权利要求1所记载的半导体装置，其特征在于，
沿着所述第2开口部的长度方向，部分地设置所述第3开口部。
3.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其特征在于，
在所述第2开口部的长度方向上以成对称的方式设置多个所述第3开口部。
4.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜对于所述半导体基板具有拉伸应力，所述第3主电极对于所述半导体基板具有压缩应力。
5.根据权利要求1或2所记载的半导体装置，其特征在于，
所述第2开口部及所述第3开口部的至少一个为锥状。
6.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体基板；
设于所述半导体基板的一个面侧的第2导电型的第1半导体层；
设于所述第1半导体层的第1导电型的第2半导体层；
以与所述第1半导体层及所述第2半导体层相对的方式设置的第1绝缘膜；
设于所述第1绝缘膜上的第2绝缘膜；
设于所述半导体基板的另一面的第1主电极；
贯通所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜并与所述第1半导体层相接的第2主电极；以及
具有贯通所述第1绝缘膜及所述第2绝缘膜并与所述第2半导体层相接的部分、和贯通所述第2绝缘膜并与所述第1绝缘膜相接的部分的第3主电极。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
在第1导电型的半导体基板的一面侧设置第2导电型的第1半导体层的工序；
在所述第1半导体层设置第1导电型的第2半导体层的工序；
在所述1半导体层上设置第1绝缘膜的工序；
将与所述第1半导体层相对的第1开口部及与所述第2半导体层相对的第2开口部设于所述第1绝缘膜的工序；
在所述第1绝缘膜的上侧设置第2绝缘膜的工序；
在所述第1开口部和所述第2开口部之间，对所述第2绝缘膜设置至少一个以上的第3开口部的工序；
在所述半导体基板的另一面设置第1主电极的工序；
在所述第1开口部设置第2主电极的工序；以及
在所述第2开口部及所述第3开口部设置第3主电极的工序。
8.根据权利要求7所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第3开口部沿着所述第2开口部的长度方向部分地设置。
9.根据权利要求7或8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第3开口部在所述第2开口部的长度方向上以成对称的方式设置。
10.根据权利要求7或8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜、及所述引出电极的至少一个，通过低压化学气相沉积法而形成。
11.根据权利要求7或8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第2开口部及所述第3开口部的至少一个形成为锥状。
12.根据权利要求7或8所记载的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第2绝缘膜对于所述半导体基板具有拉伸应力，所述第3主电极对于所述半导体基板具有压缩应力。
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