[发明专利]芯片容纳模块和用于形成芯片容纳模块的方法

权利要求书

1.一种芯片容纳模块，包括

被配置成承载一个或多个芯片的载体；

所述载体包括第一多个开口，其中所述第一多个开口中的每个开口隔开第一预定距离，并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接；

所述载体包括第二多个开口，其中所述第二多个开口中的每个开口隔开第二预定距离，并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接；以及

其中由所述第一多个开口中的一个开口和所述第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与所述第一预定距离和所述第二预定距离中的至少一个不同的距离。

2.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中将由所述第一多个开口中的一个开口和所述第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开的距离比所述第一预定距离和所述第二预定距离中的至少一个大，并且所述第二电压值范围中的电压值比所述第一电压值范围中的电压值大出预定电压值。

3.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述预定电压值能够在从约100 V到约200 V的范围内。

4.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述对包括由所述第一多个开口中的一个开口和所述第二多个开口中的一个开口构成的多个开口对，所述多个开口对隔开与所述第一预定距离和所述第二预定距离中的至少一个不同的距离。

5.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述第一多个开口包括被配置成接纳用于向第一芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口；以及

其中所述第二多个开口包括被配置成接纳用于向第一芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口、以及用于向第二芯片提供处于第二电压值范围内的电压的至少一个其他开口。

6.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述载体进一步包括

第三开口，被配置成接纳用于向芯片提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接；

其中由所述第二多个开口中的一个开口和所述第三开口构成的开口对隔开与所述第一预定距离、所述第二预定距离中的至少一个不同的距离。

7.根据权利要求6所述的芯片容纳模块，

其中所述第三开口被配置成接纳用于向第二芯片提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接。

8.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述载体进一步包括

第三多个开口，其中所述第三多个开口中的每个开口隔开第三预定距离，并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接；

其中由所述第二多个开口中的一个开口和所述第三多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与所述第一预定距离、所述第二预定距离和所述第三预定距离中的至少一个不同的距离。

9.根据权利要求8所述的芯片容纳模块，

其中所述第三多个开口包括被配置成接纳用于向第二芯片提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口。

10.根据权利要求1所述的芯片容纳模块，

其中所述第一多个开口包括被配置成接纳用于向在所述第一芯片中形成的晶体管的第一源极/漏极端子提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口、以及被配置成接纳用于向在所述第一芯片中形成的晶体管的栅极端子提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个其他开口；以及

其中所述第二多个开口包括被配置成接纳用于向在所述第一芯片中形成的所述晶体管的第二源极/漏极端子以及向在所述第二芯片中形成的晶体管的第一源极/漏极端子提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口、以及用于向在所述第二芯片中形成的晶体管的栅极端子提供处于第二电压值范围内的电压的至少一个其他开口。

11.根据权利要求10所述的芯片容纳模块，

其中第三开口包括被配置成接纳用于向在所述第二芯片中形成的晶体管的第二源极/漏极端子提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口。

12.根据权利要求10所述的芯片容纳模块，

其中第三多个开口包括被配置成接纳用于向在所述第二芯片中形成的晶体管的第二源极/漏极端子提供处于第三电压值范围内的电压的芯片连接的至少一个开口。