[发明专利]芯片容纳模块和用于形成芯片容纳模块的方法

说明书

技术领域

各个实施例通常涉及一种芯片容纳模块和一种用于形成芯片容纳模块的方法。

背景技术

传统上，如图1的图示100中所示，高电压功率半导体装置已被布置在离散的容纳模块（例如TO220-3，例如TO247-3）中以便确保高电压元件良好地彼此绝缘。因为这样的壳体通常是非常大的，这样的实践导致了高电压功率半导体壳体的巨大的板空间限制。

发明内容

一个实施例提供了一种芯片容纳模块，其包括被配置成承载一个或多个芯片的载体；该载体包括第一多个开口，其中第一多个开口中的每个开口隔开第一预定距离，并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第一电压值范围内的电压的芯片连接；该载体包括第二多个开口，其中第二多个开口中的每个开口隔开第二预定距离，并且被配置成接纳用于向芯片提供处于第二电压值范围内的电压的芯片连接；并且其中由第一多个开口中的一个开口和第二多个开口中的一个开口构成的开口对隔开与第一预定距离和第二预定距离中的至少一个不同的距离。

附图说明

在附图中，贯穿不同图，相同的附图标记通常表示相同的部件。附图不一定依据比例，而重点通常在于说明本发明的原理。在以下的描述中，参照附图来描述本发明的各个实施例，其中：

图1示出了用于高电压芯片的壳体；

图2A示出了高电压应用灯镇流器电路；

图2B示出了与第二高电压芯片电连接的第一高电压芯片；

图3示出了用于单个芯片的芯片容纳模块；

图4A至4G示出了根据各个实施例的芯片容纳模块；

图5示出了用于形成芯片容纳模块的方法。

具体实施方式

以下的详细描述参照借助于图示而示出具体细节以及其中可以实践本发明的实施例的附图。

需要一种用于容纳高电压功率半导体装置的多芯片模块（MCM），以增加高电压应用中的功率半导体装置的集成密度。高电压应用可以包括高电压元件，例如AC/DC转换器、电机驱动器、功率因数校正装置和开关模式电源SMPS。

多芯片模块可以用于容纳多个离散元件，例如高电压芯片。高电压芯片可以彼此电连接，例如可以以半桥配置连接的芯片，例如可以以全桥配置连接的芯片。

图2A的图示200示出了根据一个实施例的、诸如包括半桥架构的灯镇流器电路202的高电压应用。灯镇流器电路202可以包括多个芯片，例如204、224、244。多个芯片中的每个包括高电压晶体管，例如CoolMOS? 500V晶体管，例如LightMOS? 600V晶体管。灯镇流器电路202可以包括多个芯片，例如电连接（例如以半桥配置电连接，例如以全桥配置电连接）的第一芯片204和第二芯片224。

第一芯片204可以包括在第一芯片204中形成的第一晶体管206，第一晶体管206包括例如第一源极/漏极端子的第一端子208、例如第二源极/漏极端子的第二端子212、以及例如栅极端子的第三端子214。

第二芯片224可以包括在第二芯片224中形成的第二晶体管226，第二晶体管226包括例如第一源极/漏极端子的第一端子228、例如第二源极/漏极端子的第二端子232、以及例如栅极端子的第三端子234。

灯镇流器电路202可以包括第三芯片244。第三芯片244可以包括在第三芯片244中形成的第三晶体管246，第三晶体管246包括例如第一源极/漏极端子的第一端子248、例如第二源极/漏极端子的第二端子252、以及例如栅极端子的第三端子254。

第一芯片204可以与第二芯片224连接。第一芯片204可以与第二芯片224电连接。第一芯片204可以经由导电接口238与第二芯片224电连接。

例如在第一芯片204中形成的晶体管206的第二源极/漏极端子212的第二端子212可以与例如在第二芯片224中形成的晶体管226的第一源极/漏极端子228的第一端子228电连接。例如在第二芯片224中形成的晶体管226的第二源极/漏极端子232的第二端子232可以与大容量电容器236的第一端子电连接。例如在第一芯片204中形成的晶体管206的第一源极/漏极端子212的第一端子208可以与大容量电容器236的第二端子电连接。