[发明专利]一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件，包括引线框架载体（1）内引脚（7）和外引脚（15），引线框架载体（1）上封装有塑封体（14），其特征在于，引线框架载体（1）上、从下往上粘贴有外形尺寸依次减小的至少三层IC芯片，相邻两层IC芯片之间压焊有键合线，每层IC芯片与内引脚（7）之间也压焊有键合线。

2.如权利要求1所述的引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件，其特征在于，所述最上层键合线的弧高为110μm～130μm，其余每层键合线的弧高为90μm～110μm。

3.如权利要求1所述的引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件，其特征在于，所述引线框架载体（1）的底面位于塑封体（14）内或者引线框架载体（1）的底面露出塑封体（14）外。

4.一种权利要求1所述引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件的生产方法，其特征在于，该方法具体按以下步骤进行：

a.晶圆减薄

粗磨范围从原始晶圆片厚度到最终晶圆厚度+65μm+胶膜厚度，粗磨时： 3层堆叠封装所用晶圆的粗磨速度70～120μm/min，3层以上堆叠封装所用晶圆的粗磨速度50μm～100μm/min；细磨范围从最终晶圆厚度+65μm+胶膜厚度到最终晶圆片厚度+胶膜厚度+15μm，细磨时：3层堆叠封装所用晶圆的细磨速度13～16μm/min，3层以上堆叠封装所用晶圆的细磨速度10μm～13μm/min；抛光范围从最终晶圆厚度+胶膜厚度+15μm到最终晶圆厚度+胶膜厚度；3层堆叠封装所用芯片最终厚度为100μm～120μm，4层～5层堆叠封装所用芯片最终厚度为50μm～75μm，5层以上堆叠封装所用芯片最终厚度为35μm～50μm；

b.划片

对减薄后的晶圆划片，划片时应用防碎片技术，并控制进刀速度≤5～8mm/min，预防裂纹和碎片；

c.上芯、烘烤、压焊

当下层IC芯片和上层IC芯片外形尺寸差小于1.2mm时，多层IC芯片分别上芯、烘烤和压焊；即：上芯时，第一层IC芯片与引线框架载体之间采用导电胶或绝缘胶，相邻两层IC芯片之间使用绝缘胶或胶膜片；烘烤时所用的烘烤工艺和烘烤设备与普通同封装形式上芯后的烘烤工艺和烘烤设备相同，但采用绝缘胶作为粘贴材料时，烘烤温度是175℃；采用胶膜片作为粘贴材料时，烤温度是150℃；每粘贴一层IC芯片并烘烤后，均需压焊该层IC芯片与内引脚之间的键合线和与该层IC芯片相邻的下层IC芯片之间的键合线；

当下层IC芯片和上层IC芯片尺寸差大于或等于1.2 mm时，多层IC芯片分别上芯后，一次烘烤和压焊；上芯时，第一层IC芯片与引线框架载体之间采用导电胶或绝缘胶，相邻两层IC芯片之间使用绝缘胶或胶膜片；烘烤时所用的烘烤工艺和烘烤设备与普通同封装形式上芯后的烘烤工艺和烘烤设备相同，但采用绝缘胶作为粘贴材料时，烘烤温度是175℃；采用胶膜片作为粘贴材料时，烤温度是150℃；烘烤后，先从上往下依次压焊相邻两层最IC芯片之间的键合线，然后从下往上依次压焊IC芯片与内引脚之间的键合线；

压焊后，最上层键合线的弧高为110μm～130μm，其余每层键合线的弧高为90μm～110μm；

d. 塑封及后固化

采用膨胀系数a1＜1、吸水率＜0.25%的环保型材料，应用多段注塑模型软件和防翘曲模型软件进行塑封，采用普通引线框架单芯片封装的后固化设备和工艺进行后固化；

e.切中筋、电镀、打印、成形分离、测试、检测、包装、入库

采用与本封装形式同引脚封装件相同的设备和工艺切中筋、电镀、打印、成形分离、测试、检测、包装、入库，制得引线框架的宝塔式IC芯片堆叠封装件。