[发明专利]发光二极管管芯及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管管芯，包括：

基板；

第一型半导体外延层、发光层及第二型半导体外延层，依序堆叠于该基板上，而构成一半导体外延堆叠层，且裸露部分该第一型半导体外延层；

第一电极，沿一第一方向延伸形成于该裸露的第一型半导体外延层上；

第二电极，沿该第一方向延伸形成于该第二型外延半导体层上；以及

分支电极组，包括：

第一分支电极，沿垂直于该第一方向的第二方向，自该第一电极朝该第二电极延伸；以及

第二分支电极，沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝该第一电极延伸。

2.如权利要求1所述的发光二极管管芯，包括两个该分支电极组，该两个分支电极组相对称。

3.如权利要求1所述的发光二极管管芯，其中该分支电极组包括两个该第二分支电极，且该第一分支电极延伸至该两个第二分支电极之间。

4.如权利要求1所述的发光二极管管芯，其中该分支电极组包括两个该第一分支电极及两个该第二分支电极，该两个第一分支电极之一者延伸至该两个第二分支电极之间，该两个第二分支电极之一者延伸至该两个第一分支电极之间。

5.如权利要求2所述的发光二极管管芯，其中该半导体外延堆叠层还包括多道裂片狭缝或裂片界面。

6.如权利要求5所述的发光二极管管芯，其中该裂片狭缝位于该两个分支电极组之间的该半导体外延堆叠层表面，且在该裂片狭缝与该第一、第二电极交界处具有绝缘层，以隔离该第一、第二电极与该裂片狭缝。

7.如权利要求6所述的发光二极管管芯，其中该裂片狭缝是刀具切割所形成。

8.如权利要求5所述的发光二极管管芯，其中该裂片界面位于该两个分支电极组之间的该半导体外延堆叠层内部。

9.如权利要求8所述的发光二极管管芯，其中该裂片界面是激光制作工艺所完成。

10.如权利要求1至9中任一项所述的发光二极管管芯，其中该第一型半导体外延层为P型，而该第二型半导体外延层为N型，或该第一型半导体外延层为N型而该第二型半导体外延层为P型。

11.如权利要求1所述的发光二极管管芯，还包括一裂片参考记号，形成于该半导体外延堆叠层上。

12.一种发光二极管管芯的制造方法，包括：

提供一基板；

依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于该基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分该第一型半导体外延层裸露；

沿一第四方向形成多道裂片狭缝于该半导体外延堆叠层上；

形成一绝缘层于该裂片狭缝内；

形成一第一电极、一第二电极及多个分支电极组于该半导体外延堆叠层上，其中该第一电极沿一第一方向延伸形成于该裸露的第一型半导体外延层上，该第二电极沿一第一方向延伸形成于该第二型半导体外延层上，而各该分支电极组均包括一第一分支电极及一第二分支电极，且该第一分支电极沿垂直于该第一方向的第二方向，自该第一电极朝该第二电极延伸，而形成于该裸露的第一型半导体外延层上，而该第二分支电极则沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝该第一电极延伸，而形成于该第二型半导体外延层上，其中各该分支电极组分别位在该裂片狭缝的二侧，且该第四方向平行于该第二及第三方向，其中该第一电极及该第二电极经过该绝缘层；以及

根据所需要的发光二极管管芯的尺寸，沿部分该些裂片狭缝施以一裂片制作工艺，以获得个别的发光二极管管芯。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中该些裂片狭缝是以一刀具切割或一激光完成。

14.如权利要求12至13中任一项所述的制造方法，其中该第一型半导体外延层为P型而该第二型半导体外延层为N型，或该第一型半导体外延层为N型而该第二型半导体外延层为P型。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中该半导体堆叠外延层上还包括一裂片参考记号，使得该刀具或该激光可据以切割形成该裂片狭缝。