[发明专利]发光二极管管芯及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管管芯及其制造方法，且特别是涉及一种具有尺寸设计弹性的发光二极管管芯及其制造方法。

背景技术

传统发光二极管管芯形成方法中，半导体外延堆叠层形成于基板后，进行一切割制作工艺，以获得数个发光二极管管芯。

然而，现行业界对于发光二极管管芯的尺寸规划是单一尺寸规划，导致切割制作工艺后所获得数个发光二极管管芯的尺寸都相同，相当没有设计弹性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光二极管管芯及其制造方法，在切割制作工艺中，可获得不同尺寸的发光二极管管芯。

为达上述目的，根据本发明的一实施例，提出一种发光二极管管芯。发光二极管管芯包括一基板、一第一型半导体外延层、一发光层、一第二型半导体外延层、一第一电极、一第二电极及一分支电极组。第一型半导体外延层、发光层及第二型半导体外延层依序堆叠于基板上，而构成一半导体外延堆叠层，且裸露部分第一型半导体外延层。第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上。第二电极沿第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上。分支电极组包括一第一分支电极及一第二分支电极。第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸。第二分支电极沿垂直于第一方向的第三方向，自第二电极朝第一电极延伸。

根据本发明的另一实施例，提出一种发光二极管管芯的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分第一型半导体外延层裸露；沿一第四方向形成数道裂片狭缝于半导体外延堆叠层上；形成一绝缘层于该裂片狭缝内；形成一第一电极、一第二电极及数个分支电极组于半导体外延堆叠层上，其中第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上，第二电极沿一第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上，而各分支电极组均包括一第一分支电极及一第二分支电极，且第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸，而形成于裸露的第一型半导体外延层上，而第二分支电极则沿垂直于该第一方向的第三方向，自该第二电极朝第一电极延伸，而形成于第二型半导体外延层上，其中各分支电极组分别位在裂片狭缝的二侧，且第四方向平行于第二及第三方向，其中第一电极及第二电极经过绝缘层；以及，根据所需要的发光二极管管芯的尺寸，沿部分该些裂片狭缝施以一裂片制作工艺，以获得个别的发光二极管管芯。

根据本发明的另一实施例，提出一种发光二极管管芯的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板；依序形成一第一型半导体外延层、一发光层以及一第二型半导体外延层于基板上，构成一半导体外延堆叠层，且有部分第一型半导体外延层裸露；沿一第四方向形成数道裂片界面于半导体外延堆叠层内部；形成一第一电极、一第二电极及数个分支电极组于该半导体外延堆叠层上，其中第一电极沿一第一方向延伸形成于裸露的第一型半导体外延层上，第二电极沿一第一方向延伸形成于第二型半导体外延层上，而各分支电极组均包括一第一分支电极及一第二分支电极，且第一分支电极沿垂直于第一方向的第二方向，自第一电极朝第二电极延伸，而形成于裸露的第一型半导体外延层上，而第二分支电极则沿垂直于第一方向的第三方向，自第二电极朝第一电极延伸，而形成于第二型半导体外延层上，其中相邻二分支电极组分别位在裂片界面的二侧，且第四方向平行于第二、第三方向；以及，根据所需要的发光二极管管芯的尺寸，沿部分该些裂片界面施以一裂片制作工艺，以获得个别的发光二极管管芯。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A为本发明一实施例的发光二极管管芯的剖视图；

图1B为图1A的俯视图；

图2A为本发明另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；

图2B为图2A中沿方向2B-2B’的剖视图；

图3A为本发明另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；

图3B为图3A中沿方向3B-3B’的剖视图；

图4为本发明另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；

图5为本发明另一实施例的发光二极管管芯的俯视图；

图6A至图6D为本发明一实施例的发光二极管管芯的制造过程图；

图7为本发明另一实施例的发光二极管管芯的制造过程图；

图8A至图8D为本发明另一实施例的发光二极管管芯的制造过程图。

主要元件符号说明

100、200、300、400、500：发光二极管管芯