[发明专利]于基底中形成图案的方法有效

专利信息
申请号: 201210320119.8 申请日: 2012-09-03
公开(公告)号: CN103681231A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 蒋汝平 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 赵根喜;冯志云
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 基底 形成 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种于基底中形成图案的方法,包括:

提供具有图案区域的基底;

在所述图案区域中,于所述基底上形成多个条状掩模层,在所述条状掩模层中,至少两个相邻的所述条状掩模层分别具有突出部,且所述突出部面向彼此;

于所述条状掩模层的侧壁上形成间隙壁,其中所述间隙壁的厚度大于两个所述突出部之间的距离的一半;

移除所述条状掩模层;

以所述间隙壁为掩模,进行蚀刻工艺,以于所述基底中形成沟渠;以及

于沟渠中填入材料。

2.如权利要求1所述的于基底中形成图案的方法,其中所述条状掩模层的材料包括光阻或碳。

3.如权利要求1所述的于基底中形成图案的方法,其中在所述蚀刻工艺中所述间隙壁的蚀刻速率小于所述基底的蚀刻速率。

4.如权利要求1所述的于基底中形成图案的方法,其中所述材料包括导体材料。

5.如权利要求4所述的于基底中形成图案的方法,其中所述基底包括介电基底。

6.如权利要求1所述的于基底中形成图案的方法,其中所述材料包括介电材料与形成于所述介电材料上的导体材料。

7.如权利要求6所述的于基底中形成图案的方法,其中所述基底包括硅基底。

8.如权利要求1所述的于基底中形成图案的方法,其中在形成所述间隙壁之后以及移除所述条状掩模层之前,还包括在所述图案区域外形成块状掩模层,其中所述块状掩模层邻近所述条状掩模层的末端且覆盖位于所述条状掩模层的末端处的部分所述间隙壁。

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