[发明专利]发光装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210320522.0 申请日: 2012-08-31
公开(公告)号: CN102969458A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 佐野准治;泽田雅人 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

衬底,在表面处设置有沟槽;

第一电极,设置在所述沟槽里面;

第二电极,设置在所述衬底和所述第一电极上;

绝缘部,设置在所述第二电极上;

发光部,设置在所述第二电极和所述绝缘部上;以及

第三电极,设置在所述发光部上,

所述第一电极具有远离所述发光部的设置在所述第二电极上的部分并且朝着所述沟槽的底部侧倾斜的侧表面。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极与所述绝缘部相对。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极的位于所述沟槽的开口侧上的端部面对所述绝缘部并且不面对所述发光部的设置在所述第二电极上的所述部分。

4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极的位于所述沟槽的开口侧上的端部的外周被设置成比所述绝缘部的位于所述第二电极侧上的端部的外周更靠近所述绝缘部的中心侧。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极使得入射到所述侧表面上的光被反射并且从所述衬底的发射表面进行发射。

6.根据权利要求1所述的装置,其中所述侧表面包括曲面。

7.根据权利要求1所述的装置,其中所述侧表面包括平坦表面。

8.根据权利要求1所述的装置,所述第一电极被成形为具有类似栅格的形状。

9.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一电极与所述绝缘部相对,并且所述第一电极限定的部分与所述发光部的设置在所述第二电极上的所述部分相对。

10.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极的暴露至所述沟槽的开口部分的端部与所述第二电极接触。

11.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极电连接至所述第二电极。

12.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一电极的材料的电导率比所述第二电极的材料的电导率高。

13.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极透射从所述发光部发射的光。

14.根据权利要求1所述的装置,其中所述第三电极反射从所述发光部发射的光。

15.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极是阳极侧上的电极,并且所述第三电极是阴极侧上的电极。

16.一种用于制造发光装置的方法,包括:

在衬底的表面处设置沟槽;

在所述沟槽里面设置第一电极;

在所述衬底和所述第一电极上设置第二电极;

在所述第二电极上设置绝缘部;

在所述第二电极和所述绝缘部上设置发光部;以及

在所述发光部上设置第三电极,

在衬底的表面处设置沟槽时,所述沟槽的侧表面被设置成远离所述发光部的设置在所述第二电极上的部分并且朝着所述沟槽的底部侧倾斜。

17.根据权利要求16所述的方法,其中在衬底的表面处设置沟槽时,所述沟槽的开口被设置在面对所述绝缘部的位置处并且未被设置在面对所述发光部的设置在所述第二电极上的所述部分的位置处。

18.根据权利要求16所述的方法,其中在衬底的表面处设置沟槽时,所述沟槽的开口的外周被设置成比所述绝缘部的位于所述第二电极侧上的端部的外周更靠近所述绝缘部的中心侧。

19.根据权利要求16所述的方法,其中在衬底的表面处设置沟槽时,所述沟槽被设置为栅格形状。

20.根据权利要求16所述的方法,其中在衬底的表面处设置沟槽时,设置所述沟槽,使得所述沟槽的侧表面为曲面。

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