[发明专利]发光装置及其制造方法无效
申请号: | 201210320522.0 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN102969458A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 佐野准治;泽田雅人 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于并且要求于2011年9月1日提交的在先日本专利申请No.2011-190473的优先权;在这里通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
这里描述的实施例总体上涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术
存在包括有机发光二极管(OLED)的发光装置。这种发光装置包括:由诸如玻璃的透明材料制成的衬底;以及由例如ITO(氧化铟锡)制成的透明电极,所述透明电极设置在所述衬底和有机发光二极管之间。
在这种背景下,为了降低透明电极的电阻,已经提出了用于进一步提供电连接到所述透明电极的线性电极的技术。
然而,没有考虑光提取效率。因此,该技术可能不能改善光提取效率。
发明内容
通常,根据一个实施例,一种发光装置包括:衬底、第一电极、第二电极、绝缘部、发光部以及第三电极。具有沟槽的衬底被设置在表面。所述第一电极设置在所述沟槽内。所述第二电极设置在所述衬底和所述第一电极上。所述绝缘部设置在所述第二电极上。所述发光部设置在第二电极和所述绝缘部上。所述第三电极设置在所述发光部上。所述第一电极具有远离所述发光部的设置在所述第二电极上的部分并且朝着所述沟槽的底部倾斜的侧表面。
附图说明
图1是用于示出根据第一实施例的发光装置的示意部分截面图。
图2是用于示出第一电极的形状的示意透视图。
图3是用于示出从发光部2发射的光如何传播至第二电极5里面或衬底6里面的示意图。
图4A至4E是用于示出发光装置的结构对光提取效率的影响的示意截面图。
图5是用于示出开口率A和光提取效率之间的关系的示图。
图6A至6D是用于示出制造根据第二实施例的发光装置的方法的示意工艺截面图。
具体实施方式
现在将参考附图来说明实施例。在附图中,类似的部件用相同的附图标记来表示,并且适当省略对类似的部件进行具体描述。
[第一实施例]
图1是用于示出根据第一实施例的发光装置的示意部分截面图。
图2是用于示出第一电极的形状的示意透视图。
如图1所示,发光装置1包括发光部2、绝缘部3、第三电极4、第二电极5、衬底6以及第一电极7。
发光部2设置在第二电极5和绝缘部3上。
发光部2包括以具有预定间隔的矩阵结构设置在第二电极5上的多个部分2a。
发光部2可以通过例如叠置包括二苯基-4,4’-联苯胺(通常还被称为α-NPD)的空穴传输层、包括三(8-羟基喹啉)铝配合物(通常还被称为Alq3)的有机发光层、以及包括氟化锂的电子注入层来形成。
然而,发光部2的材料和结构并不限于所示出的,而是可以适当对其进行修改。
例如,发光部2还可以是仅包括有机发光层的单层构造。或者,发光部2可以是进一步包括例如含有酞菁的空穴注入层和例如包括芴衍生物的电子传输层的多层结构。或者,发光部2可以具有多光子发射(MPE)结构,其中经由包括例如HAT(CN)6的电荷生成层(CGL)对多个有机发光层进行串联连接。
绝缘部3设置在第二电极5上。
绝缘部3被设置成保持第二电极5和第三电极4之间的电隔离。
绝缘部3可以具有与下面所述的第一电极7中的栅格类似的形状。
绝缘部3可以例如由诸如可紫外固化树脂等光敏树脂来制成。
第三电极4设置在发光部2上。
第三电极4可以用作用于向发光部2注入电子的电极(阴极)。此外,第三电极4还可以用作使得从发光部2发射的光反射至衬底6侧。
第三电极4可以由例如诸如铝的导电和光发射材料来制成。
第二电极5设置在衬底6和第一电极7上。
第二电极5可以用作用于向发光部2注入空穴的电极(阳极)。
此外,第二电极5还用于使得从发光部2发射的光透射至衬底6侧。
第二电极5可以由诸如氧化铟锡的导电并且光透射材料来制成。
衬底6在表面处设置有沟槽6a。
衬底6可以由光透射材料制成。衬底6可以例如由不包含诸如纳和钾的碱性成分的无碱玻璃制成。
在这里,第二电极5由导电并且光透射材料制成。因此,第二电极5比第二电极5由诸如铝等高导电材料制成的情况下具有更高的电阻。因此,发光装置1的增大尺寸可以使得发光装置1的中心部分和端部之间的亮度差异问题变大。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210320522.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择