[发明专利]曝光装置、曝光管理系统、和曝光方法

说明书

关联申请的参照

本申请享受2012年2月23日申请的日本申请专利号码2012-037417的优先权的利益，其日本申请专利的全内容在本申请中被援用。

技术领域

本实施方式涉及曝光装置、曝光管理系统、和曝光方法。

背景技术

曝光装置中，进行将掩模的图形复制到基板的曝光处理。此时，若基板上的掩模的图形的复制位置从预定的位置偏离，则可能发生图形不良。这样，期望使位置对准的精度提高。

发明内容

根据实施方式，提供包括取得部和计算部的曝光装置。取得部取得多个测量值。多个测量值是对于多个焦点偏移量测量的值。多个焦点偏移量彼此不同。多个测量值分别表示拍摄区域内的位置偏移分布。计算部从多个测量值求多个失真误差。计算部按照多个焦点偏移量及多个失真误差，求相关关系。相关关系是焦点偏移量和用于修正失真误差的位置对准修正值的相关关系。

本实施方式能修正失真误差，能提高拍摄区域内的位置对准精度。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的曝光装置的构成的图。

图2是表示第1实施方式的掩模的失真的图。

图3A及图3B是表示第1实施方式的光阑的不一致的图。

图4是表示第1实施方式的位置偏移分布的测量值的图。

图5是表示第1实施方式的QC用掩模的图形的图。

图6是表示第1实施方式的QC用基板的图形的图。

图7是表示关于第1实施方式的位置偏移分布的多个测量值的图。

图8A及图8B是表示第1实施方式的相关关系的计算结果的图。

图9是表示第1实施方式的相关表的数据结构的图。

图10是表示第1实施方式涉及的曝光装置的工作的流程图。

图11是表示包含第1实施方式的变形例涉及的曝光装置的系统的构成的图。

图12是表示第1实施方式的变形例的相关关系数据库的数据结构的图。

图13是表示第2实施方式涉及的曝光装置的构成的图。

图14A及图14B是表示第2实施方式的光阑的构成的图。

具体实施方式

以下参照附图，详细说明实施方式涉及的曝光装置、曝光管理系统、和曝光方法。再者，本发明不通过这些实施方式来限定。

(第1实施方式)

用图1说明第1实施方式涉及的曝光装置100。图1是表示曝光装置100的构成的图。

曝光装置100用于半导体器件的制造的光刻步骤。曝光装置100是例如扫描型的曝光装置，沿着X方向一边使掩模MK及基板SB进行同步扫描，一边进行将掩模MK的图形复制到基板SB的曝光处理。以下的说明中，在沿着基板SB的表面SBa的面内，与X方向垂直的方向为Y方向，与X-Y平面垂直的方向为Z方向。

此时，对于半导体器件的细微化要求，在考虑按光刻的细微化，即曝光装置的高解析化进行对应的情况下，由浸液型的曝光装置，难以在技术上增大作为确定图形解析界限的一个参数的透镜数值孔径(例如，NA=1.35)。

那样，本实施方式中，作为曝光装置100，采用缩小投影型的EUV曝光装置，其中来自作为确定图形解析界限的另一个参数的光源LS的光的波长比以前(例如，ArF光)更短，并且将EUV(Extreme Ultra Violet：极紫外)光作为曝光的光的。EUV光的波长是例如，λ=13.5nm。

EUV曝光装置中，由于曝光的光(EUV光)的空气中的透射率非常低，所以曝光的光通过的场所必需为真空。即，曝光装置100中，将曝光的光通过的场所配置在真空腔内，将真空腔内进行真空排气。为此，曝光装置100中，由于不能使用真空夹具作为吸着掩模台10的掩模MK的机构，所以掩模台10用静电夹具11吸着掩模MK。

还有，EUV曝光装置中，由于曝光的光的波长非常短，所以不存在构成折射光学系统的恰当的透镜材料(高透射率、折射率差)，必需使用反射光学系统和反射型掩模。即，曝光装置100中，照明光学系统IOS及投影光学系统POS都是反射光学系统，掩模MK是反射型掩模。例如，投影光学系统POS具有多个镜M1～M7。例如，从照明光学系统IOS向掩模MK照射的曝光的光由掩模MK的表面MKa反射，经由多个镜M1～M7向基板SB的表面SBa引导。