[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201210323854.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681497A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、介电层、硬掩膜叠层以及金属硬掩膜层；
蚀刻所述金属硬掩膜层，形成开口；
以所述金属硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述硬掩膜叠层、介电层，形成侧壁倾斜的锥形沟槽，其中，通过提高所述蚀刻温度和/或蚀刻气体的流量以在形成上述锥形沟槽的同时完全去除所述金属硬掩膜层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻以形成所述锥形沟槽。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用N2气氛蚀刻以形成所述锥形沟槽。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述N2流量为10-1000sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用于固定所述半导体衬底的静电卡盘的温度为150℃以上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻温度的控制为双区控制、多区控制或者基于晶片的控制。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述蚀刻温度中相邻两节点之间的最大温差小于5℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜叠层包括依次层叠的低K材料硬掩膜层以及氧化物硬掩膜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜层为TEOS层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述低K材料硬掩膜层为BD材料层。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜选用TiN、BN和AlN中的一种或多种。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层为超低K材料层。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层为2.2BD、2.45BD或者2.55BD材料层。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括去除部分所述蚀刻停止层的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述去除蚀刻停止层的步骤中用于固定半导体衬底的静电卡盘的温度为150℃以上。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述去除蚀刻停止层的步骤中选用N2进行蚀刻，其流量为10-1000sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
