[发明专利]DDR信号布线封装基板以及DDR信号布线封装方法

权利要求书

1.一种DDR信号布线封装基板，其特征在于包括：

在所述DDR信号布线封装基板的芯片上对称放置的多个DDR存储控制模块；

在所述DDR信号布线封装基板的所述芯片之外的区域中布置的与所述多个DDR存储控制模块相对应地对称布置的多个存储控制信号引脚；以及

将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一的对称布置的多个DDR信号线。

2.根据权利要求1所述的DDR信号布线封装基板，其特征在于，所述DDR信号布线封装基板依次层叠的地平面层、第一介质层、DDR信号层、第二介质层、以及DDR接口电源平面层；其中所述DDR接口电源平面层和所述地平面层同时选择作为DDR信号的参考平面层。

3.根据权利要求1或2所述的DDR信号布线封装基板，其特征在于进一步包括：将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一而形成的对称布置的多个DDR信号过孔。

4.根据权利要求3所述的DDR信号布线封装基板，其特征在于进一步包括：参照所述多个DDR信号过孔的位置相应地对称布置的多个地孔。

5.根据权利要求1至4之一所述的DDR信号布线封装基板，其特征在于，多个DDR存储控制模块包括第一DDR存储控制模块、第二DDR存储控制模块、第三DDR存储控制模块以及第四DDR存储控制模块；

其中，所述第一DDR存储控制模块、所述第二DDR存储控制模块、所述第三DDR存储控制模块以及所述第四DDR存储控制模块位于一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一存储控制信号引脚、所述第二存储控制信号引脚、所述第三存储控制信号引脚以及所述第四存储控制信号引脚位于另一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一DDR信号过孔、所述第二DDR信号过孔、所述第三DDR信号过孔以及所述第四DDR信号过孔位于又一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一地孔、所述第二地孔、所述第三地孔以及所述第四地孔位于又另一个正方形的四个角的位置处。

6.一种DDR信号布线封装方法，其特征在于包括：

在所述DDR信号布线封装基板的芯片上对称放置多个DDR存储控制模块；

在所述DDR信号布线封装基板的所述芯片之外的区域中，与所述多个DDR存储控制模块相对应地对称布置多个存储控制信号引脚；以及

利用对称布置的多个DDR信号线将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一。

7.根据权利要求6所述的DDR信号布线封装方法，其特征在于，所述DDR信号布线封装基板包括：依次层叠的地平面层、第一介质层、DDR信号层、第二介质层、以及DDR接口电源平面层；其中所述DDR接口电源平面层和所述地平面层同时选择作为DDR信号的参考平面层。

8.根据权利要求6或7所述的DDR信号布线封装方法，其特征在于进一步包括：通过对称布置的多个DDR信号过孔，将所述多个DDR存储控制模块之一分别相对应地连接至所述多个存储控制信号引脚之一。

9.根据权利要求6或7所述的DDR信号布线封装方法，其特征在于进一步包括：参照所述多个DDR信号过孔的位置相应地对称布置多个地孔。

10.根据权利要求6或7所述的DDR信号布线封装方法，其特征在于，多个DDR存储控制模块包括第一DDR存储控制模块、第二DDR存储控制模块、第三DDR存储控制模块以及第四DDR存储控制模块；

其中，所述第一DDR存储控制模块、所述第二DDR存储控制模块、所述第三DDR存储控制模块以及所述第四DDR存储控制模块位于一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一存储控制信号引脚、所述第二存储控制信号引脚、所述第三存储控制信号引脚以及所述第四存储控制信号引脚位于另一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一DDR信号过孔、所述第二DDR信号过孔、所述第三DDR信号过孔以及所述第四DDR信号过孔位于又一个正方形的四个角的位置处；

并且其中所述第一地孔、所述第二地孔、所述第三地孔以及所述第四地孔位于又另一个正方形的四个角的位置处。