[发明专利]一种超厚金属层制作方法有效
| 申请号： | 201210330647.1 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103681309A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 制作方法 | ||
1.一种超厚金属层制作方法，提供具有顶层金属互连层的半导体基体，所述顶层金属互连层上沉积介质层，在所述介质层中刻蚀形成沟槽，在所述沟槽和未被刻蚀的介质层表面沉积扩散阻挡层之后，在扩散阻挡层之上生长金属层，所述金属层填充沟槽并完全覆盖介质层表面，该方法还包括：
第一化学机械研磨（CMP）对所述金属层进行平坦化，露出部分扩散阻挡层表面，所述第一化学机械研磨分为独立的N个阶段，每一阶段由两个步骤组成，所述两个步骤顺序为分步化学机械研磨和化学机械研磨后处理，N取值为大于等于2的自然数；
第二CMP抛光所述金属层，直到露出扩散阻挡层表面；
第三CMP去除扩散阻挡层，形成超厚金属层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N的取值为3。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述每一阶段中的分步化学机械研磨时间相同，是第一化学机械研磨总时间的N分之一。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨后处理的方法是对所述分步化学机械研磨后的金属层表面进行气体清洗。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述气体清洗采用的清洗气体是氮气。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨后处理的方法是对所述分步化学机械研磨后的金属层表面进行湿法清洗。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗采用的清洗液是去离子水。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述湿法清洗采用的清洗液是中性或者碱性化学试剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
