[发明专利]排气捕集器有效
申请号: | 201210335345.3 | 申请日: | 2012-09-11 |
公开(公告)号: | CN102989238A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 小池悟 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | B01D45/04 | 分类号: | B01D45/04;B01D50/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气 捕集器 | ||
技术领域
本发明依据2011年9月13日申请之日本专利申请第2011-199622号之优先权,将该日本申请的全部内容作为参考文献引用于文中。
本发明涉及被用于对基板进行气体处理的处理装置的排气捕集器。
背景技术
在半导体装置与平板显示器(FPD)的制造工序中,成膜、热处理、干蚀刻、清洁等这样的工序都是在真空处理室中,使用规定气体进行的。
例如,采用CVD(化学气相沉积)法进行成膜的成膜装置具有:反应室,该反应室能将内部排气成真空;基板支承部,该基板支承部被配置于该反应室内,支承半导体晶片等的基板;基板加热部,该基板加热部对被基板支承部支承的基板进行加热;真空泵等排气装置,该真空泵等排气装置经由规定的排气管道与反应室连接,对反应室排气;以及原料供给系统,该原料供给系统向反应室供给原料气体。在此类成膜装置中,被从原料供给系统向反应室供给的原料气体因被基板加热部加热的基板的热而在气相中或基板面上进行热分解或化学反应,从而生成反应生成物,该反应生成物堆积在基板上,由此形成薄膜。
从反应室中排出的废气中,包含即使其生成也不会有助于薄膜的成膜的反应生成物与反应副生成物。在这样的反应生成物与反应副生成物中,凝聚而成为粒子状的生成物在废气沿排气管道内流动时会出现堆积在排气管道和真空泵的内壁的情况。如堆积此类堆积性的物质,则可能出现排气能力低下与真空泵故障。因此,通常使用捕集废气中的堆积性物质、防止其流向下游侧的排气捕集器。
排气捕集器中有如下的类型,即、将翅片的多块板配置于内部,加长实际的气体流路,通过长时间地使废气接触该板面,来捕集废气中的堆积性物质。另外,还有如下的类型,即、不设置翅片板,而是设置有多块有开口的挡板,通过使废气多次碰撞挡板面来捕集废气中的堆积性物质。
对于上述排气捕集器而言,基本上都是使废气中的堆积性物质堆积于挡板和翅片板的表面上进行捕集,因此有时会因为挡板和翅片板的配置与配置间隔,而使大量的堆积性物质堆积于表面上,堵塞流路,或者,即便难以堵塞流路,堆积性物质的捕集效率也很难提高。
发明内容
本发明提供既能提高捕集效率又能减少堵塞的排气捕集器。
根据本发明的一个方式,提供一种排气捕集器,具备:流入口,该流入口使来自处理装置的废气流入;流出口,该流出口使从上述流入口流入的上述废气流出;以及多块挡板,该多块挡板具有:一个或多个具有第一开口尺寸的第一开口部、以及多个具有比上述第一开口尺寸小的第二开口尺寸的第二开口部,在上述流入口与上述流出口之间,该多块挡板被配置为与从上述流入口流向上述流出口的上述废气的流动方向相交叉,上述多块挡板中的一块挡板的上述第一开口部与相邻挡板的上述第一开口部相对于上述流动方向相互错位,上述多块挡板中相邻的两块挡板的间隔在上述第二开口尺寸的0.5倍至2倍的范围内。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的排气捕集器以及使用该排气捕集器的成膜装置的示意图。
图2是表示本发明的实施方式的排气捕集器的示意剖视图。
图3是表示被配置于图2的排气捕集器内的挡板的示意俯视图。
图4是表示挡板、对挡板进行定位的杆、调节挡板间隔的垫片之间关系的示意图。
图5是说明相邻两块挡板的位置关系的俯视图。
图6是说明被配置于图2的排气捕集器上的过滤器单元的过滤器的构造的俯视图。
图7A~图7C是说明通过图2的排气捕集器去除废气中的堆积性物质的原理的说明图。
图8A及图8B是说明图2的排气捕集器的适当间隔尺寸的说明图。
图9A及图9B是说明图2的排气捕集器的小口径孔的适当间隔的说明图。
具体实施方式
以下根据附图对本发明的实施方式的成膜方法以及成膜装置进行详述。图1是表示本发明的实施方式的排气捕集器以及使用该排气捕集器的成膜装置的示意图。如图所示,成膜装置20具有处理容器22,该处理容器22能够收纳多片被处理体亦即半导体晶片W。该处理容器22由纵向长的内管24和纵向长的外管26构成,该内管24具有有顶的圆筒体形状;该外管26具有顶的圆筒体形状。外管26被配置为在内管24的外周与外管26的内周之间留有规定间隔地包围内管24。另外,内管24与外管26例如都由石英形成。
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