[发明专利]一种含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物，是2，8-二（三甲苯基硼）-5,11-二烷基吲哚[3,2-b]咔唑，其分子结构式为：

R是CH₂CH₃,C₃H₇,C₄H₉,C₅H₁₁,C₆H₁₃,C₈H₁₇或C₆H₅。

2.如权利要求1所述的一种含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物的制备方法，包括如下步骤：按摩尔比1.0:2.3-2.5:2.5-3.0取2,8-二溴-5,11-二烷基吲哚[3,2-b]咔唑、正丁基锂和二(三甲苯基)氟化硼；将2,8-二溴-5,11-二烷基吲哚[3,2-b]咔唑溶解在四氢呋喃溶剂中，在-78°C时，加入正丁基锂，在此温度下搅拌20min后恢复室温，然后再次降至-78°C后将溶有二(三甲苯基)氟化硼的无水四氢呋喃溶液滴入其中，恢复室温后搅拌过夜，之后旋转蒸发除去溶剂，所得固体用乙醚和水洗涤，干燥后得2,8-二（三甲苯基硼）-5,11-二烷基吲哚[3,2-b]咔唑。

3.如权利要求2所述的一种含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物的制备方法，其特征在于，所述的2,8-二溴-5,11-二烷基吲哚[3,2-b]咔唑、正丁基锂和二(三甲苯基)氟化硼的摩尔比为1.0:2.5:3.0。

4.一种电致发光器件，包括发光层，其特征在于所述的发光层含有权利要求1所述的含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物。

5.一种电致发光器件，包括发光层，其特征在于所述的发光层是权利要求1所述的含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物的镀层。

6.如权利要求5所述的一种电致发光器件的制造方法，其特征在于包括以下步骤：清洗ITO玻璃，氮气吹干，最后用紫外线-臭氧处理达到充分洗净的表面；根据所设计的器件的结构按顺序依次在ITO基片上蒸镀40nm厚的NPB、蒸镀10nm厚的BCP；蒸镀40nm厚的权利要求1所述结构的含硼吲哚[3,2-b]咔唑衍生物作为发光层、蒸镀40nm厚的Bphen作为电子传输层、蒸镀0.5nm厚的氟化锂和150nm厚的铝作为器件的阴极。

7.如权利要求6所述的一种电致发光器件的制造方法，其特征在于所述的整个蒸镀过程均在高真空下进行，有机层的蒸镀速度控制在0.2-0.5nm/s,金属铝层的蒸镀速控制在0.5-1nm/s。