[发明专利]半导体器件的金属布线及半导体器件的金属布线形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的金属布线，用于对相邻地布置有低电压施加区域和高电压施加区域的半导体器件施加电压，其特征在于包含：

数字隔离区域；

与所述半导体器件电连接的第一下部金属；

与外部电源电连接的第一上部金属；

多个层间绝缘膜，该多个层间绝缘膜层叠在所述第一下部金属与所述第一上部金属之间，每一个层间绝缘膜包含用于电连接所述第一下部金属和所述第一上部金属的至少一个接触插塞，

布置在最下侧的层间绝缘膜的接触插塞与所述第一下部金属接触，

布置在最上侧的层间绝缘膜的接触插塞与所述第一上部金属接触，

在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互交错地接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相互垂直地接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，进一步包含形成在相邻的两个层间绝缘膜之间的蚀刻停止层，所述接触插塞贯通所述蚀刻停止层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述层间绝缘膜是氧化膜。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述层间绝缘膜通过拉伸膜和压缩膜交替沉积n次而形成，其中n为自然数。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述层间绝缘膜在最上部布置所述压缩膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，在相邻的两个层间绝缘膜中，一侧层间绝缘膜的接触插塞的宽度与另一侧层间绝缘膜的接触插塞的宽度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述接触插塞由钨或铜制造。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述接触插塞具有金属布线和接触插塞的功能，各接触插塞由同一个物质构成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述数字隔离区域是高电压施加区域。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，进一步包含分别形成在所述数字隔离区域的上部和下部的第二上部金属和第二下部金属。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述第二上部金属和所述第二下部金属分别对应于所述第一上部金属和所述第一下部金属。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述第二上部金属和所述第二下部金属之间形成层间绝缘膜和蚀刻停止层。

15.根据权利要求14所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，在所述数字隔离区域中，所述层间绝缘膜和所述蚀刻停止层的总厚度之和为15～40μm。

16.根据权利要求1所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，每一个层间绝缘膜的厚度为1～5μm。

17.根据权利要求12所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述数字隔离区域的层间绝缘膜在形成权利要求1的层间绝缘膜的同一个工艺中形成。

18.一种半导体器件的金属布线，其特征在于，包含：

数字隔离器元件；

虚拟图案，该虚拟图案包围所述数字隔离器元件，所述虚拟图案包含第一下部金属和第一上部金属、在所述第一下部金属与所述第一上部金属之间层叠的多个层间绝缘膜、形成在所述多个层间绝缘膜的接触插塞，

在相邻的两个层间绝缘膜中一侧层间绝缘膜的接触插塞与另一侧层间绝缘膜的接触插塞相接触。

19.根据权利要求18所述的半导体器件的金属布线，其特征在于，所述数字隔离器元件包含数字隔离区域。