[发明专利]栅极下方具有选择性掺杂剂去活化的MOSFET有效
| 申请号： | 201210337912.9 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103367163A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马哈维;杨凯杰;吴伟豪;后藤贤一;吴志强;孙元成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 下方 具有 选择性 掺杂 活化 mosfet | ||
1.一种在衬底上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，包括：
利用第一类型的掺杂剂掺杂所述MOSFET器件的沟道区；
利用第二类型的掺杂剂在所述衬底中形成源极和漏极；以及
在位于所述MOSFET器件的栅极下方的区域中实施选择性掺杂剂去活化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过碳注入实施所述选择性掺杂剂去活化。
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在所述MOSFET器件的所述源极和所述漏极中实施晕环注入。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述MOSFET器件是N型器件，所述第一类型是P型，以及所述第二类型是N型。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，通过在2KeV到25KeV范围内的能量实施所述碳注入。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，通过在5e13cm-2到1e15cm-2范围内的剂量实施所述碳注入。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述MOSFET器件的栅极介电层之下的5nm到40nm范围内的深度处实施所述碳注入。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述选择性掺杂剂去活化包括：
在所述衬底的所述沟道区中形成凹槽；以及
在所述凹槽中形成未掺杂外延层。
9.一种在衬底上形成的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括：
沟道区，掺杂有第一类型的掺杂剂；
栅极介电层，设置在所述沟道区上方；
栅极，设置在所述栅极介电层上方；
源极，掺杂有第二类型的掺杂剂；
漏极，掺杂有所述第二类型的掺杂剂；以及
去活化区，位于所述栅极下方，
其中，所述沟道区位于所述源极和所述漏极之间，所述去活化区的掺杂剂被去活化。
10.一种在衬底上制造N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，包括：
利用P型掺杂剂掺杂所述MOSFET器件的沟道区；
利用N型掺杂剂在所述衬底中形成源极和漏极；以及
在位于所述MOSFET器件的栅极下方的区域中实施用于选择性掺杂剂去活化的碳注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
