[发明专利]一种集成倍压生成电路

权利要求书

1.一种集成倍压生成电路，包括差动放大器和输出级，其特征在于：所述差动放大器包括P型第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2），N型第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）；所述输出级包括P型第三MOS管（M3），第一电阻（R1），第二电阻（R2）；

差动放大器的第一MOS管（M1）的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管（M4）的漏极、递升电压（VPP）以及第二MOS管（M2）的栅极和第一MOS管（M1）的漏极；第二MOS管（M2）的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管（M5）的漏极、递升电压（VPP）和第一MOS管（M1）的栅极；第四MOS管（M4）的漏极、源极和栅极分别连接到第一MOS管（M1）的漏极、第六MOS管（M6）的漏极以及第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的公共连接端；第五MOS管（M5）的漏极、源极和栅极分别连接到第二MOS管（M2）的漏极、第六MOS管（M6）的漏极和电压输入端（Vin）；第六MOS管（M6）的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管（M4）和第五MOS管（M5）的源极、地（GND）以及偏压（Bias）；

所述输出级的第一电阻（R1）和第二电阻（R2）串接于第三MOS管（M3）漏极和地（GND）之间；第三MOS管（M3）的漏极、源极和栅极分别连接到倍压输出端（Vout）、外电源电压（VDD）和第二MOS管（M2）的漏极。

2.根据权利要求1所述的集成倍压生成电路，其特征在于，还包括一电平输出电容，该负载电容桥接于倍压输出端（Vout）和地（GND）之间。

3.根据权利要求2所述的集成倍压生成电路，其特征在于，所述电平输出电容为一N型第六MOS管（M6），该第六MOS管（M6）的源极和漏极并联接地（GND），栅极连接倍压输出端（Vout）。

4.根据权利要求1所述的集成倍压生成电路，其特征在于，第一MOS管（M1）与第二MOS管（M2）的参数相同，第四MOS管（M4）与第五MOS管（M5）的参数相同。