[发明专利]一种集成倍压生成电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成倍压生成电路。

背景技术

在便携式电子电路里面，其采用的驱动电压一般是1.5V、2.5V、3.3V或5V电压，但是在某些电子电路中的某些部分需要更大的电压进行驱动，因此就需要将小的驱动电压做倍增处理。

现有技术中做倍压的电路一般采用变压器的技术方案，但是变压器的增压倍数比较难控制，切变压器在不能结成到集成电路里，所以必须外接，使得这种倍压电路在集成电路里不能广泛应用，也使得电路容积较大，增加开发和生产成本。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种适用于集成电路里应用的倍压电路。

本发明采用的技术方案是这样的：一种集成倍压生成电路，包括差动放大器和输出级。所述差动放大器包括P型第一MOS管、第二MOS管，N型第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管；所述输出级包括P型第三MOS管，第一电阻，第二电阻。所述差动放大器的第一MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管的漏极、递升电压以及第二MOS管的栅极和第一MOS管的漏极；第二MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管的漏极、递升电压和第一MOS管的栅极；第四MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到第一MOS管的漏极、第六MOS管的漏极以及第一电阻和第二电阻的公共连接端；第五MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到第二MOS管的漏极、第六MOS管的漏极和电压输入端；第六MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管和第五MOS管的源极、地以及偏压。所述输出级的第一电阻和第二电阻串接于第三MOS管漏极和地之间；第三MOS管的漏极、源极和栅极分别连接到倍压输出端、外电源电压和第二MOS管的漏极。

上述的集成倍压生成电路，还包括一电平输出电容，该负载电容桥接于倍压输出端和地之间。最为优选，所述电平输出电容为一N型第六MOS管，该第六MOS管的源极和漏极并联接地，栅极连接倍压输出端。

在上述的集成倍压生成电路中，所述第一MOS管与第二MOS管的参数相同，所述第四MOS管与第五MOS管的参数相同

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：采用MOS管和在集成电路中可实现的电阻组成倍压电路，可将该倍压电路集成在集成电路中，从而减小电路体积，减小开发成本和生产成本。

附图说明

图1是本发明集成倍压生成电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明作详细的说明。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

一种集成倍压生成电路，包括差动放大器和输出级。如图1中所示，所述差动放大器包括P型第一MOS管M1、第二MOS管M2，N型第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5；所述输出级包括P型第三MOS管M3，第一电阻R1，第二电阻R2。

图1中所示，所述差动放大器的第一MOS管M1的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管M4的漏极、递升电压VPP以及第二MOS管M2的栅极和第一MOS管M1的漏极；第二MOS管M2的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管M5的漏极、递升电压VPP和第一MOS管M1的栅极；第四MOS管M4的漏极、源极和栅极分别连接到第一MOS管M1的漏极、第六MOS管M6的漏极以及第一电阻R1和第二电阻R2的公共连接端；第五MOS管M5的漏极、源极和栅极分别连接到第二MOS管M2的漏极、第六MOS管M6的漏极和电压输入端Vin；第六MOS管M6的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管M4和第五MOS管M5的源极、地GND以及偏压Bias。

图1中所示，所述输出级的第一电阻R1和第二电阻R2串接于第三MOS管M3漏极和地GND之间；第三MOS管M3的漏极、源极和栅极分别连接到倍压输出端Vout、外电源电压VDD和第二MOS管M2的漏极。

在上述的集成倍压生成电路中，还包括一电平输出电容，该负载电容桥接于倍压输出端Vout和地GND之间。在本发明中，所述电平输出电容为一N型第六MOS管M6，该第六MOS管M6的源极和漏极并联接地GND，栅极连接倍压输出端Vout。

作为优选，上述集成倍压生成电路中，第一MOS管M1与第二MOS管M2的参数相同，第四MOS管M4与第五MOS管M5的参数相同。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。