[发明专利]一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法

权利要求书

1.一种改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：沉积超低介电常数介电质层覆盖一制备有底部金属的半导体结构的上表面后，再沉积一低电常数介电质层覆盖所述超低介电常数介电质层的上表面；

步骤S2：从下至上顺便依次沉积金属硬质掩膜层和垫氧化物层覆盖所述低介电常数介电质层的上表面；

步骤S3：打开所述金属硬质掩膜后，采用光刻、刻蚀工艺于所述超低介电常数介电质层中形成通孔结构；

步骤S4：采用沟槽刻蚀工艺形成沟槽，并贯通所述通孔结构的底部至所述底部金属中，形成通孔后，去除所述低介电常数介电质层。

2.根据权利要求1所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述半导体结构还包括底部介质层和停止层，所述底部金属贯穿所述底部介质层，所述停止层覆盖所述底部金属和所述底部介质层的上表面，所述超低介电常数介电质层覆盖所述停止层的上表面。

3.根据权利要求1或2所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述金属硬质掩膜层包括第一氧化物层、金属层和第二氧化物层，所述第一氧化物层覆盖所述超低介电常数介电质层的上表面，所述金属层覆盖所述第一氧化物的上表面，所述第二氧化物层覆盖所述金属层的上表面。

4.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述金属层的材质为TiN。

5.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3中采用光刻、刻蚀工艺，依次回蚀所述垫氧化物层、所述第二氧化物层和所述金属层至所述第一氧化物层中，打开所述金属硬质掩膜，形成沟槽结构。

6.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述停止层的厚度为400A、所述超低介电常数介电质层的厚度为2500-2800A，所述第一氧化物层的厚度为300-400A，所述金属层的厚度为50-150A，所述第二氧化物层的厚度为200-300A，所述垫氧化物层的厚度为50A。

7.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层的材质均为SiON。

8.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述低介电常数介电质层的厚度为200-300A。

9.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述低介电常数介电质层的介电常数为2.7-3.0。

10.根据权利要求3所述的改善双大马士革工艺中KINK缺陷的方法，其特征在于，所述超低介电常数介电质层的介电常数为2.4-2.6。