[发明专利]一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法及系统有效
| 申请号： | 201210343446.5 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867761A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 郭贤权;许向辉;顾珍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 动态 互补 缺陷 扫描 方法 系统 | ||
1.一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法，适用于动态互补晶圆的选片缺陷扫描，其特征在于，步骤包括：
步骤a，建立缺陷扫描站点，所述缺陷扫描站点用于对动态互补晶圆进行缺陷扫描；
步骤b，选取通过所述缺陷扫描站点的第一个过站产品中的固定两片晶圆，并且选取所述固定两片晶圆的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；
步骤c，选取通过所述缺陷扫描站点的第二个过站产品中的所述固定两片晶圆，并且选取之前未扫描过的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；
步骤d，选取通过所述缺陷扫描站点的第三个过站产品中的所述固定两片晶圆，并且选取之前两次均未扫描过的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；
步骤e，采用上述方法扫描其余过站产品，直到所有晶圆盒卡槽位置的晶圆都被扫描到。
2.如权利要求1所述的动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其特征在于，在完成所述步骤e后，返回所述步骤b。
3.如权利要求1所述的动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其特征在于，所述缺陷扫描方法在一个预设的时间周期内完成。
4.如权利要求1所述的动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其特征在于，选择位于固定卡槽位置的晶圆进行缺陷扫描。
5.如权利要求4所述的动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其特征在于，选择位于非固定卡槽位置的晶圆进行缺陷扫描。
6.一种动态互补晶圆的缺陷扫描系统，其特征在于，采用如权利要求1-5中任意一项所述的动态互补晶圆的缺陷扫描方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
