[发明专利]一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆选片缺陷扫描技术领域，尤其涉及一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法及系统。

背景技术

随着半导体工艺和生产的加速发展，制程机台的晶圆通过率越来越快。为了降低产品生产的周期时间，缺陷扫描的取样和选片也变得越来越具有挑战，有效的选片系统能够不影响产品产出率的同时，快速准确没有遗漏地发现异常晶圆，及时检查制程机台的异常，减少受影响产品的数目。所以一个有效的缺陷扫描晶圆选片规则显得尤为重要。

在晶圆厂中制程机台多种多样，有不同的运作原理。当制程机台某些部分，比如某个反应腔、某支机械臂等出现异常时，会持续对产品中晶圆盒卡槽的特定一个或几个位置晶圆产生缺陷。如果缺陷扫描站点对固定的晶圆选片规则（如图1所示），即固定选择第1,2，23,24片晶圆进行缺陷扫描，而没有选中这特定卡槽的晶圆进行扫描，就难以及时发现制程机台的异常。等到发现时往往已经持续了很长时间，影响到大量产品的良率。

发明内容

根据现有技术中存在的缺陷，现提供了一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法及系统的技术方案，具体如下：

一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法，适用于动态互补晶圆的选片缺陷扫描，其中，步骤包括：

步骤a，建立缺陷扫描站点，所述缺陷扫描站点用于对动态互补晶圆进行缺陷扫描；

步骤b，选取通过所述缺陷扫描站点的第一个过站产品中的固定两片晶圆，并且选取所述固定两片晶圆的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

步骤c，选取通过所述缺陷扫描站点的第二个过站产品中的所述固定两片晶圆，并且选取之前未扫描过的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

步骤d，选取通过所述缺陷扫描站点的第三个过站产品中的所述固定两片晶圆，并且选取之前两次均未扫描过的邻近两片晶圆，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

步骤e，采用上述方法扫描其余过站产品，直到所有晶圆盒卡槽位置的晶圆都被扫描到。

优选的，该动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其中，在完成所述步骤e后，返回所述步骤b。

优选的，该动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其中，所述缺陷扫描方法在一个预设的时间周期内完成。

优选的，该动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其中，选择位于固定卡槽位置的晶圆进行缺陷扫描。

优选的，该动态互补晶圆的缺陷扫描方法，其中，选择位于非固定卡槽位置的晶圆进行缺陷扫描。

一种动态互补晶圆的缺陷扫描系统，其中，采用上述缺陷扫描方法。

上述技术方案的有益效果是：使缺陷扫描站点对不同晶圆盒卡槽位置的晶圆在一个时间周期内都有缺陷扫描结果，及时发现造成缺陷的情况，能有效减少受影响产品的数量，提升良率，并降低成本。

附图说明

图1是现有技术中缺陷扫描方法的示意图；

图2是本发明一种动态互补晶圆的缺陷扫描方法的实施例的示意图；

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

在目前的缺陷扫描选片系统中加入新颖的动态互补晶圆的缺陷扫描方法，该缺陷扫描方法所扫描的晶圆包括但不限于选择固定卡槽位置的晶圆。如图2所示，首先，设置扫描缺陷站点，对该站点的第一个过站产品固定选取两片晶圆1和24，并选取晶圆1和24的邻近两片晶圆2和23，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

其次，对该站点的第二个过站产品固定选取晶圆1和24，并选取未被扫描过的邻近两片晶圆3和22，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

再次，对该站点的第三个过站产品固定选取晶圆1和24，并选取未被扫描过的邻近两片晶圆4和21，对上述四片晶圆进行缺陷扫描；

以此类推，对其余晶圆进行同样的动态缺陷扫描，直至所有晶圆盒卡槽位置的晶圆都被扫描到后，则重头开始动态选片，即重新选择固定两片晶圆，重复以上步骤。

在本发明的另一个具体实施例中，一制程机台甲具有六个反应腔，其中第六号反应腔异常；另一台制程机台乙有四个反应腔，其中第二个反应腔有异常，先后过甲机台的六个反应腔和乙机台的二个反应腔的晶圆会出现特定缺陷，即晶圆盒卡槽位置为6和18的晶圆会出现缺陷，则使用包括上述缺陷扫描方法的缺陷扫描系统进行缺陷扫描，能在第五个产品经过该缺陷扫描站点时检测出上述问题。

该使用上述缺陷扫描方法的缺陷扫描系统中包括一个定时装置，该定时装置可用于设定一个预设的时间周期，在该预设的时间周期内，缺陷扫描系统完成上述晶圆的缺陷扫描工作，并对晶圆都有缺陷扫描结果。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。