[发明专利]掩膜版传送盒以及降低掩膜版污染的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种减少掩膜版污染的方法，尤其涉及一种掩膜版传送盒、以及掩膜版在使用和传输过程中被颗粒污染的方法。

背景技术

集成电路是由设计人员在工作站完成，得到是一种关于版图的图像或数据，而制造商（晶圆厂）要将版图的图形转移到晶片上，则需要使用相应的光刻掩膜版进行图形转移，因此光刻掩膜版的质量优劣直接影响光刻图形的质量。芯片制造过程中会经过十几乃至几十次光刻，每一次光刻都需要一块掩膜版，因此每次光刻掩膜版的质量都会影响光刻的质量，因此要有高的成品率，就需要高质量的掩膜版。

在晶圆厂使用掩膜版时，因为掩膜版需要不断地从传送盒移动到光刻机曝光载物台上，然后曝光之后再穿送回传送盒中。在不断地传送过程中，因为摩擦的作用会产生大量的污染微颗粒，或者在使用的环境中就存在大量的污染微颗粒。这些微颗粒很容易掉落在掩膜版表面，并黏附在表面上。因为掩膜版是集成电路曝光的母版，需要做到零缺陷，而大于45微米的微颗粒掉落在掩膜版表面会影响曝光，有可能在晶圆上成像。一旦有无法去除的微颗粒，掩膜版就需要送回原工厂清洗及重新贴膜，这会造成正常的晶圆曝光生产断线最少3到7天，而且送修之后掩膜版的各方面特性可能会有改变，造成制程工艺参数漂移不稳。目前统计业内现状显示，掩膜版返修率每年约为总使用量的6.6%，而因为微颗粒原因的大约占了返修中的50%。

所以尽量降低微颗粒落和粘附到掩膜版表面的几率成了重要的课题。

发明内容

发明人研究发现，很多的污染微颗粒最初并没有掉落在掩膜版上，而是在传送盒内表面，在传送过程中又掉落在掩膜版表面，造成二次污染，避免此种二次污染将是一个投入少而收益大的措施。

为了解决上述问题，本发明提供了一种降低掩膜版污染的方法，和一种掩膜版传送盒。

本发明第一个目的是提供一种掩膜版传送盒，包括上盒盖和下盒盖，其中，在所述上盒盖和下盒盖的内表面均涂覆有粘附层；上盒盖和下盒盖合在一起组成封闭环境。

本发明的第二个目的是提供一种降低掩膜版污染的方法，放置掩膜版的掩膜版传送盒包括上盒盖和下盒盖，上盒盖和下盒盖合在一起组成封闭环境。其中，在所述上盒盖和下盒盖的内表面均涂覆有粘附层。

本发明的第三个目的是提供一种制作所述掩膜版传送盒的方法，制作上盒盖和下盒盖，上盒盖和下盒盖扣合后能够组成封闭的环境；并且在上盒盖和下盒盖的内表面涂覆粘附层。

应当理解的是，所述制作方法中，可以是先制作上盒盖，在上盒盖内表面涂覆粘附层之后，再制作下盒盖；或者先制作下盒盖，在下盒盖内表面涂覆粘附层之后，再制作上盒盖；或者先将上盒盖和下盒盖制作得到，然后再上盒盖和下盒盖内表面涂覆粘附层。

其中，所述涂覆方式可以是将粘附层熔体涂覆在内表面后冷却成型，或者将粘附层材料溶液涂覆在内表面后干燥成型，或者将粘附层材料膜贴敷在内表面。

本发明上述的掩膜版传送盒中，所述粘附层优选为由不含有挥发性物质的材料制备。

本发明所述的掩膜版传送盒中，所述粘附层优选为不含有铵根离子、无机酸根离子。所述无机酸根离子如硫酸根、磷酸根等。

由于粘附层仅对微米级甚至更小颗粒污染物进行吸附，因此所述粘附层厚度和粘性不需要特别限定，本发明中优选为≤1mm，更优选为≤0.8mm，更优选≤0.5mm，最优选为≤0.3mm。

本发明所述的粘附层材料优选为高分子材料，可以是均聚物或共聚物。

本发明所述粘附层材料可以是聚酯、聚烯烃、聚氨酯、聚酰亚胺中的任意一种或多种的混合。

本发明所述粘附层材料更优选为在-20~100℃范围内性能稳定的材料，更优选为0~60℃范围内性能稳定的材料。所述性能指的是机械性能和化学性能。

本发明所述的掩膜版可以是各种尺寸的掩膜版，如5英寸、6英寸、7英寸等。本发明所述的掩膜版传送盒包括在晶圆厂使用的各种形状及设计的传送盒，可以是业界标准设计，也可以不是业界标准设计；只要上盒盖和下盒盖能够扣合组成封闭环境即可。

本发明通过在掩膜版传送盒内表面涂覆粘附层，可以有效俘获游离状态的污染物，一方面提高了掩膜版传送盒本身的洁净度，另一方面净化掩膜版放置环境，降低掩膜版被二次污染的几率，从而达到降低掩膜版被微颗粒污染的目的。

附图说明

图1为本发明粘附层吸附微颗粒效果实验示意图。

具体实施方式