[发明专利]一种InN基薄膜材料生长方法无效
| 申请号： | 201210344800.6 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102912315A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 修向前;华雪梅;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 inn 薄膜 材料 生长 方法 | ||
1.制备InN基薄膜的方法，其特征是利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长InN薄膜；蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长InN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟。
2.根据权利要求1所述的制备InN基薄膜的方法，其特征是，生长温度是550℃至600℃。
3.制备InxGa1-xN薄膜的方法，其特征是，利用氢化物气相外延（HVPE）设备生长；蓝宝石或者GaN/蓝宝石复合衬底清洗后，放入HVPE生长系统中，开始生长InN薄膜；生长区温度：500-650℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；铟源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化铟，金属源区温度700-900℃；HCl流量：1-20sccm，HCl的氮气载气流量10-1000sccm。高纯氨气作为氮源，NH3流量：50-500sccm；生长时间10-120分钟；镓源采用高纯金属铟和高纯HCl反应生成氯化镓，金属源区温度700-900℃；HCl流量5-20sccm；HCl的氮气载气流量10-1000sccm。
4.根据权利要求3所述的制备InxGa1-xN薄膜的方法，其特征是不同高纯金属铟和高纯金属镓混合源的摩尔数比会给出不同In浓度的InxGa1-xN合金薄膜；合金薄膜中的In比例x要低于混合金属源中的铟比例。
5.根据权利要求3所述的制备InxGa1-xN薄膜的方法，其特征是氯化铟比氯化镓的摩尔比例，通过控制HCl流量来实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210344800.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
