[发明专利]一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法在审
| 申请号： | 201210345386.0 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103681261A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;陆江;谈景飞;褚为利;王波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/261 | 分类号： | H01L21/261 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 缓冲 截流 存储 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件缓冲层或截流子存储层的制备方法，其特征在于，通过中子嬗变掺杂将中子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧或者通过光致嬗变掺杂将光子通过掩膜注入到衬底的单侧或者双侧，通过控制辐照剂量，使所述衬底形成具有特定浓度的缓冲层或截流子存储层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述控制方法还包括通过中子嬗变掺杂将中子通过中子束扫描的方法注入到衬底的单侧或者双侧。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功率器件为PIN二极管、VDMOS、IGBT或IEGT中的任一一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功率器件的半导体材料为硅、锗、碳化硅、金刚石、砷化镓或锑化铟的任一一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
