[发明专利]QFN封装返拆工艺

权利要求书

1.QFN封装返拆工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）将需要返修的电路板从整板物料上剪切出来；

2）将剪切出的电路板放至加热台进行加热，待器件引脚下的焊锡熔解后取出器件；

3）对取出的器件进行检查；

4）对检查不合格的器件进行维修

5）将检查合格以及维修后的器件放至清洗机清洗；

6）对维修后的器件再次进行检查；

7）对检查合格的器件进行封装。

2.根据权利要求1所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，所述加热台的温度为275°~285°。

3.根据权利要求1或2所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，所述器件为连接器，其放置在加热台上的时间为3~10s。

4.根据权利要求1或2所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，所述器件为IC，其放置在加热台上的时间为5~30s。

5.根据权利要求1所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，步骤3）中使用烙铁对器件进行去锡维修，烙铁与器件接触的时间小于3s。

6.根据权利要求1所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，所述清洗机为超声波清洗机，其内部放置有机清洗剂。

7.根据权利要求6所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，所述有机清洗剂为丙酮溶液。

8.根据权利要求1或6或7所述的QFN封装返拆工艺，其特征在于，步骤5）中器件放置在清洗机内的清洗时间为10s。