[发明专利]QFN封装返拆工艺有效
申请号: | 201210346052.5 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN102881600A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 黄清华 | 申请(专利权)人: | 奈电软性科技电子(珠海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;B23K1/018 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 陈国荣 |
地址: | 519040 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | qfn 封装 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种QFN封装返拆工艺,属于微电子技术领域。
背景技术
随着触控技术的飞速发展,作为用于驱动触控屏的方形扁平无引脚封装(以下简称QFN)的IC也用得越来越多,而在现有的生产中难免会出现不良品,诸如外观不良和功能不良等。现阶段行业内对于这些不良的处理方法主要有以下两种:如果属于焊接不良的,如连焊、虚焊、少锡等,一般对其进行维修处理;而如果是外观不良以及其他不良,则无法进行修理,一般作报废处理。
发明内容
为解决上述问题,发明人出于节约资源、降低成本和减少浪费的目的,研发出了一种QFN封装返拆工艺。
本发明为解决其问题所采用的技术方案是:
QFN封装返拆工艺,包括以下步骤:
1) 将需要返修的电路板从整板物料上剪切出来;
2) 将剪切出的电路板放至加热台进行加热,待器件引脚下的焊锡熔解后取出器件;
3) 对取出的器件进行检查;
4) 对检查不合格的器件进行维修
5) 将检查合格以及维修后的器件放至清洗机清洗;
6) 对维修后的器件再次进行检查;
7) 对检查合格的器件进行封装。
优选的是,所述加热台的温度为275°~285°。进一步的,如果所述器件为连接器,其放置在加热台上的时间为3~10s;如果所述器件为IC,其放置在加热台上的时间为5~30s。
优选的是,步骤3)中使用烙铁对器件进行去锡维修,烙铁与器件接触的时间小于3s。
优选的是,所述清洗机为超声波清洗机,其内部放置有机清洗剂。进一步的,所述有机清洗剂为丙酮溶液。更近一步的,步骤5)中器件放置在清洗机内的清洗时间为10s。
本发明的有益效果是:将元器件拆除后返修再封装使用,以最大限度的达到节约能源、降低成本、减少浪费的目的,符合现在社会节能减排的发展趋势,并且实现了产业的可持续发展。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
图1为本发明的操作流程图。
具体实施方式
如附图1所示的QFN封装返拆工艺,包括以下步骤。
步骤S1,将需要返修的电路板从整板物料上剪切出来,剪切时不能够剪到板上的器件,并且应该一件一件地操作,以防止器件碰撞或者是剪切到器件。剪切后的电路板不能够从物料盒中一下倒出堆在一起,必需放回物料盒内装起来,以防止电路板上的器件发生碰撞导致损坏。
步骤S2,将剪切出的电路板放至加热台进行加热,待器件引脚下的焊锡熔解后,用镊子轻轻地取出器件,在锡还没有完全融化之前,不能够急于夹起器件,以免把器件刮伤或者是损坏,然后将取出的器件统一放置在一个专门用于放置返拆器件的盒子里。
需要注意的是,返拆的IC类器件不能够散放一堆,而且,IC类器件的拆卸方向也要注意,拆件时应该从没有阻容件或者是阻容件比较少的方向水平移出,以防止碰撞损坏。在返拆连接器一类的器件时,则要注意镊子夹取的方向不能夹在有引脚的一侧,要夹在连接器没有引脚的两侧,以防止引脚被弄坏或者使引脚粘到焊锡。操作人员在操作时,还要防止被高温的加热台烫伤。
优选的是,所述加热台的温度为275°~285°。进一步的,如果所述器件为连接器,其放置在加热台上的时间为3~10s;如果所述器件为IC,其放置在加热台上的时间为5~30s。
步骤S3,对取出的器件进行检查或者是维修;器件需要进行全检,检查器件的引脚之间有没有发生焊锡粘连、多锡的不良情况,还要检查器件表面有没有脏污或者是刮伤或者是损坏。如果器件为合格品,则直接清洗,然后进行封装生产;而如果器件已经损坏,则只能够进行废弃处理。
步骤S4,如果器件没有损坏,则需要进行维修。对于焊锡粘连或者是多锡的不良,采用烙铁进行维修,维修前,操作者必须把烙铁的烙铁嘴擦拭干净,以免烙铁嘴上的氧化物转移到器件上,而且烙铁与器件接触的时间小于3s,以防止器件被高温烧坏。对于器件表面脏污的不良,一般可使用无尘布沾上酒精进行擦洗,但是,酒精对于由助焊剂所造成的脏污的清洗效果较差,所以,对于特别难于擦洗的脏污,还可以进行下一步用清洗机清洗。
步骤S5,将难于擦洗的器件放至清洗机清洗;优选的是,所述清洗机为超声波清洗机,其内部放置有机清洗剂。进一步的,所述有机清洗剂为丙酮溶液。更近一步的,器件放置在清洗机内的清洗时间为10s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造