[发明专利]聚合物材料及其应用无效

专利信息
申请号: 201210346914.4 申请日: 2012-09-18
公开(公告)号: CN103676481A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 苏佳乐 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司
主分类号: G03F7/038 分类号: G03F7/038;B81C3/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 聚合物 材料 及其 应用
【说明书】:

技术领域

发明属于半导体制造领域,特别涉及一种聚合物材料及其应用。

背景技术

在MEMS(微机电系统Micro-Electro-Mechanical Systems)的胶键合(Adhesive bonding)工艺中,这种键合方式的工艺温度低(<250°C),但键合强度较高。通常应用于需要低温工艺的MEMS器件和玻璃与玻璃键合。在Adhesive bonding中通常使用BCB或者SU8这两种胶。BCB可以先图形化再进行键合(250°C),但需要很高的压强(>2bar),对于需要低压强键合的MEMS器件无法满足需求。而SU8可以进行低压强键合(1bar)。但是SU8在常温下是固态,类似于光刻胶,这样是无法与另一片硅片粘合在一起的,SU8的特性是在130-150度的时候开始回流,在这种情况下会类似于胶水与另外一片硅片粘上。所以需要回流,如果没有回流就无法键合。对于一些特殊结构,如契形结构(在键合时与上层硅片/玻璃片形成虹膜,参图1),SU8在键合过程中,因为虹膜效应,会流动并聚集在硅片与玻璃片之间,影响键合效果。而在键合前,通过曝光使SU8固化或部分固化的效果不好。如果SU8固化,就因为无法回流而不能键合。SU8部分固化,在键合时仍然表现出较强的回流特性,工艺窗口很小,不易控制。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明解决的技术问题是提供一种聚合物材料,该聚合物材料在应用于胶键合工艺时,不仅可以解决SU8的回流问题,并且降低了SU8的键合压强。

为解决上述技术问题,本发明的技术方案是这样实现的:

本发明公开了一种聚合物材料,其中,所述聚合物材料包含有SU8和表面活性剂。

作为本发明的进一步改进,所述表面活性剂在所述聚合物材料中的质量比为9%~11%。

作为本发明的进一步改进,所述表面活性剂在所述聚合物材料中的质量比为10%。

本发明还公开了所述聚合物材料在键合中的应用。

作为本发明的进一步改进,所述键合的温度为170~200度。

作为本发明的进一步改进,所述键合的压强为0.5~1bar。

作为本发明的进一步改进,所述键合包括玻璃/玻璃键合、硅/玻璃键合、硅/硅键合或晶片/硅键合。

与现有技术相比,本发明提供了一种聚合物材料,该聚合物材料包含有SU8和表面活性剂。SU8为疏水性材料,因此在键合的时候需要先加热至130度以上使其回流,配合一定的压强,使两个硅片(玻璃片)完成键合。通过在SU8内添加少量的表面活性剂,将SU8改为亲水性的材料,降低SU8的表面张力,加强它的粘性,使得它更易于黏附,通过光刻固化使得SU8在高温下仍然有很小量的回流,配合一定的压强,即可完成键合,而且键合压强低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为现有技术中SU8胶在硅/玻璃键合中的应用;

图2所示为本发明实施例中聚合物材料在应用于硅片/硅片键合时的电镜图;

图3所示为图2中A的放大图。

具体实施方式

选择键合技术的程序通常依赖于一系列要求,如温度限制、密闭性要求和需要的键合后对准精度。键合的选择包括标准工业工艺,如阳极键合、玻璃浆料键合和黏着键合,以及新发展的低温共晶键合,金属扩散(共熔晶)键合和特定应用中的硅熔融键合。

玻璃浆料键合广泛应用于加速度计的制造和微机电系统的生产。玻璃浆料是一种浆状物质,由铅硅酸玻璃颗粒、钡硅酸盐填充物、浆料和溶剂组成。常见的应用方法是通过丝网印刷技术。通常情况下,图形化后的浆料在每个芯片周围,覆盖30-200微米宽的环形区域,厚度为10-30微米。多余的溶剂在图形化后通过烘烤浆料去除。在晶片对准后进行热压键合。在实际的玻璃浆料键合过程中,玻璃融化并与其中的填充物熔合,从而形成了具有极好密闭性的无空洞封接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司,未经无锡华润上华半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210346914.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top