[发明专利]非易失性存储器件以及控制该非易失性存储器件的方法在审
申请号: | 201210347415.7 | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN103489480A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 姜熙福 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾红霞;何胜勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 以及 控制 方法 | ||
1.一种非易失性存储器件,包括:
页面缓冲器,其构造成在编程模式中存储编程位;
ISPP控制单元,其构造成对存储在所述页面缓冲器中的编程位进行计数,并且响应所述编程位的计数数目来控制ISPP水平;以及
ISPP驱动单元,其构造成响应由所述ISPP控制单元控制的所述ISPP水平来驱动ISPP电压,其中,所述ISPP电压的电平变化,以执行ISPP操作的各步骤。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,
所述ISPP控制单元包括:
计数单元,其构造成对存储在所述页面缓冲器中的编程位进行计数;
基准寄存单元,其构造成对在所述编程模式中最初存储在所述页面缓冲器中的初始编程位的计数数目进行存储;
编程位寄存单元,其构造成对存储在所述页面缓冲器中的编程位的变化的计数数目进行存储,在执行所述ISPP操作的各步骤时存储在所述页面缓冲器中的编程位的数目变化;以及
ISPP水平操作单元,其构造成响应所述基准寄存单元的输出信号和所述编程位寄存单元的输出信号来控制所述ISPP水平。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
在所述编程模式中,所述初始编程位从数据控制单元加载到所述页面缓冲器中。
4.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
在执行所述ISPP操作的各步骤之后在所述页面缓冲器中剩余的所述编程位的变化的计数数目是数据“0”的数目。
5.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
所述编程位是数据“0”。
6.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
当所述编程位的变化的计数数目是零时,所述ISPP控制单元的操作终止。
7.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
当所述编程位的变化的计数数目不是零时,所述ISPP控制单元增加ISPP步数,以执行所述ISPP操作的下一步骤。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件,其中,
所述ISPP控制单元基于所述编程位的计数速度来有差异地控制所述ISPP水平。
9.根据权利要求2所述的非易失性存储器件,其中,
与所述ISPP操作的当前步骤相对应的当前的ISPP水平由与所述ISPP操作的前一步骤相对应的前一个ISPP水平和编程位的前一个变化的计数数目之间的函数关系来确定。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件,其中,
所述ISPP水平根据下式来确定:
ISPPn水平=f{PBC(n-1)}×ISPP(n-1)水平+ISPP(n-1)水平,
所述ISPPn水平表示第n个ISPP水平,所述ISPP(n-1)水平表示第(n-1)个ISPP水平,所述PBC(n-1)表示与所述ISPP操作的第(n-1)个步骤相对应的编程位的变化的计数数目,n为正整数。
11.一种用于控制非易失性存储器件的方法,所述方法包括:
对在编程模式中存储在页面缓冲器中的初始编程位进行计数,并且将所述初始编程位的计数数目存储在基准寄存单元中;
响应所述基准寄存单元的输出信号来执行ISPP操作的第一步骤;
对存储在所述页面缓冲器中的编程位的变化的数目进行计数,并且将编程位的变化的计数数目存储在编程位寄存单元中,存储在所述页面缓冲器中的编程位的数目在执行所述ISPP操作的第一步骤之后是变化的;
响应所述基准寄存单元的输出信号和所述编程位寄存单元的输出信号来调节ISPP水平;以及
响应所述ISPP水平来驱动ISPP电压,以执行所述ISPP操作的当前步骤。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:
在所述编程模式中,将所述初始编程位从数据控制单元加载到所述页面缓冲器中。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,
存储所述变化的计数数目的步骤包括:计数并存储在执行所述ISPP操作的第一步骤之后剩余的数据“0”的数目。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,
所述编程位是数据“0”。
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