[发明专利]一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于膜层结构从衬底基片往上依次为内层氮化铝钛介质层/银层/外层氮化铝钛介质层的三明治结构。

2.根据权利要求1所述的一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于：所述内层氮化铝钛介质层厚度为15～35nm，所述银层厚度为8～14nm，所述外层氮化铝钛介质层厚度为20～40nm。

3.根据权利要求1所述的一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于：所述衬底基片为玻璃基片或高分子材料(PMMA、或者PC、或者PS、或者PET、或者CR-39、或者PMP)。

4.根据权利要求1所述的一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺，其特征在于：其制备工艺的具体步骤如下：

(1)衬底基片前处理

衬底基片依次通过pH值为4～6的稀盐酸、去离子水、pH值为8～10的氢氧化钠溶液、去离子水、酒精，以清洗衬底基片，然后在烘箱中50～70℃烘干备用；

(2)镀膜

靶位和样品间距离为6～12cm。氮气流量控制在20～40sccm，开启旋转，镀膜前钛靶与铝靶先预溅射5min，基片温度为室温，钛靶功率为30～70W，铝靶功率为80～120W。制备内层氮化铝钛薄膜，镀膜时间60～100min，膜层厚度为15～35nm。关闭射频，关闭反应氮气，打开银靶射频，调节使其起辉，调整银靶功率为80～120W，制备银膜，镀膜时间20～40s，膜层厚度为8～14nm。关闭银靶射频，打开钛靶与铝靶射频，采用制备内层氮化铝钛薄膜的条件制备外层氮化铝钛薄膜，镀膜时间80～120min，膜层厚度为25～40nm。在整个镀膜过程中，工作压强始终维持在1Pa。