[发明专利]一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺无效
申请号: | 201210347572.8 | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN102825866A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 黄佳木;尹军;香承杰;吴萌;柳红东;刘园园 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | B32B17/06 | 分类号: | B32B17/06;B32B27/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 介质 辐射 薄膜 及其 制备 工艺 | ||
技术领域
本发明属于功能薄膜技术领域,具体涉及一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺。
背景技术
低辐射玻璃是指表面镀制了一层低辐射薄膜的镀膜玻璃,低辐射薄膜一般采用银作为红外线反射层,能很好的阻止热辐射的透过,近年来已广泛应用于建筑、汽车等领域,起到了良好的节能作用。
常用的低辐射薄膜一般是用磁控溅射法来制备的。由于银层会造成透光性低、反光高,而且极易被腐蚀和受到机械磨损,所以需要在银层上下镀制介质膜层,其作用是通过光学干涉来提高透光率,降低反光率,改善外观色泽,并且可以提高耐化学腐蚀性和耐机械磨损性能。银层与衬底基片之间的介质层往往还可以起到增加界面结合能力的作用,改善银层成膜条件。
通常单银层低辐射薄膜有两种结构。一种为介质层/银层/介质层的三明治结构。如申请号为201110049715.2的中国专利公开了一种低辐射镀膜玻璃,其中低辐射薄膜结构为Ta2O5/Ag/Ta2O5,然而介质层由氧化物Ta2O5组成,在高温下其内部的氧会对银层进行氧化,从而使其红外透过率升高而可见光透过率降低,低辐射效果变差。另一种为介质组合层/银层/介质组合层的类三明治结构。如申请号为201110381757.6的中国专利公开了一种低辐射镀膜玻璃,其中低辐射薄膜结构为NbOx/ZnAlOx/Ag/ZnAlOx/ZnSnO3/Si3N4的低辐射镀膜玻璃,其中,第一电介质层为NbOx,Nb为贵金属,无疑增加了原材料成本;第二介质层和第三介质层为氧化物ZnAlOx,同样存在在高温下其内部的氧会对银层进行氧化,从而使其红外透过率升高而可见光透过率降低,低辐射效果变差的问题。因此,现有的低辐射薄膜往往存在如下缺点:(1)不适合在高温下使用或者处理;(2)膜层较多,结构复杂;(3)生产工艺复杂,生产效率低;(4)使用贵金属,生产成本增加。
发明内容
本发明的目的是针对现有低辐射薄膜的不足,提供一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺,其特点是:(1)这种低辐射薄膜具有抗高温氧化能力,利用其制备的低辐射玻璃可在高温下使用或者进行高温处理;(2)这种低辐射薄膜为三膜层结构,结构简单;(3)简化了生产工艺,提高了生产效率;(4)使用常规原材料,大大降低了成本。此外,这种低辐射薄膜可见光透过率高,红外辐射率低,颜色呈自然色。所用氮化铝钛介质层具有较好的膜基结合能力,耐腐蚀、耐氧化、耐磨损,使得低辐射薄膜拥有较长的使用寿命。
一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺,其特征在于,从衬底基片往上依次为内层介质层、功能层、外层介质层,所述内层介质层和外层介质层均为氮化铝钛,所述功能层为银。膜层结构为氮化铝钛/银/氮化铝钛的三明治结构。
所述内层氮化铝钛介质层的厚度为15~35nm,所述功能银层的厚度为8~14nm,所述外层氮化铝钛介质层的厚度为20~40nm。
所述衬底基片为玻璃基片或高分子材料(PMMA、或者PC、或者PS、或者PET、或者CR-39、或者PMP)。
实现本发明目的的技术方案是:一种氮化铝钛介质层低辐射薄膜及其制备工艺,使用磁控溅射仪在衬底基片上沉积膜层结构为氮化铝钛/银/氮化铝钛的低辐射薄膜。其具体步骤如下:
(1)基片前处理
衬底基片依次通过pH值为4~6的稀盐酸、去离子水、pH值为8~10的氢氧化钠溶液、去离子水、酒精,以清洗玻璃基片,除去其表面油污积垢等污物,然后在烘箱中50~70℃烘干备用。
(2)镀膜
1)准备
做好磁控溅射仪的镀膜工作前期准备。
2)放入基片和靶材
①放入靶材
将纯度为99.99%的钛金属靶、纯度为99.99%的铝金属靶和纯度为99.99%的银金属靶放入镀膜机溅射室内射频端靶位上,为交流旋转三靶位。
②放入基片
取第(1)步清洁干燥的衬底基片玻璃或者高分子材料(PMMA、或者PC、或者PS、或者PET、或者CR-39、或者PMP),放入溅射室内样品架上,靶位和样品间距离为6~12cm。
3)抽真空
在第(2)-2)步完成后,对溅射室抽真空至5×10-3Pa以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210347572.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大直径高压机械密封装置
- 下一篇:单晶棒定向夹紧装置