[发明专利]半导体存储器件、存储芯片、存储模块、存储系统及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

多个第一导线；

存储层，所述存储层与所述第一导线中的每个的第一侧壁接触；以及

多个第二导线，所述多个第二导线与所述第一导线交叉并与所述存储层接触。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储层与所述第一导线中的每个的第二侧壁接触。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储层在与所述第一导线中的每个偶数编号的第一导线的第一侧壁接触的同时，与所述第一导线中的每个奇数编号的第一导线的在相应的同一沟槽内的第二侧壁接触。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二导线每个都具有形成在所述第一导线之间的部分。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述存储层包括可变电阻材料。

6.一种半导体存储器件，包括：

多个第一导线，所述多个第一导线被形成在衬底之上；

绝缘层，所述绝缘层被形成在所述第一导线之上；

沟槽，所述沟槽暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁；

存储层，所述存储层被形成在所述第一导线中的每个的暴露出的侧壁之上；以及

多个第二导线，所述多个第二导线与所述第一导线交叉，并填充所述沟槽。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述沟槽每个都具有选自如下形状中的任何一种：暴露出所述第一导线中的每个的两个侧壁的形状、暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁的形状、以及暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁或第二侧壁的形状。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，在所述沟槽每个都具有暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁或第二侧壁的形状时，所述沟槽每个都在暴露出所述第一导线中的每个偶数编号的第一导线的第一侧壁的同时，暴露出所述第一导线中的每个奇数编号的第一导线的第二侧壁。

9.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述沟槽的底表面被形成在所述衬底的顶表面之下。

10.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述沟槽的顶侧是圆的。

11.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述存储层被形成在所述沟槽的表面之上，或被形成在所述沟槽和所述绝缘层的表面之上。

12.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述存储层包括可变电阻材料。

13.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第二导线每个都包括：

第一导电层，所述第一导电层填充所述沟槽；以及

第二导电层，所述第二导电层被形成在所述第一导电层之上，并与所述第一导线交叉。

14.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述绝缘层被形成在所述第一导线中的每个的第二侧壁和顶表面之上。

15.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个第一导线；

在包括所述第一导线的衬底之上形成绝缘层；

通过选择性刻蚀所述绝缘层来形成暴露出所述第一导线的侧壁的沟槽；

在所述第一导线的暴露出的侧壁之上形成存储层；以及

形成与所述第一导线交叉并填充所述沟槽的多个第二导线。

16.如权利要求15所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤包括：沿着所述第一导线的中心线来刻蚀所述第一导线，直到暴露出所述中心线之下的衬底。

17.如权利要求15所述的方法，其中，沿着包括所述第一导线的衬底的表面形成所述绝缘层。

18.如权利要求15所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤包括：刻蚀所述第一导线之间的所述绝缘层，以暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁。

19.如权利要求15所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤包括：刻蚀所述第一导线之间的所述绝缘层，以暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁或第二侧壁。

20.如权利要求15所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤包括：交替地刻蚀在所述第一导线之间的绝缘层，以暴露出所述第一导线中的每个的第一侧壁。