[发明专利]触摸面板的布线结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210348100.4 申请日: 2012-09-18
公开(公告)号: CN103207699A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 中山尚美;岩胁信也;菅原浩幸 申请(专利权)人: SMK株式会社;吉奥马科技株式会社
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 邱忠贶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 触摸 面板 布线 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明关于一种触摸面板的布线结构,是在玻璃基板的平面上,配置了可将传感器电极引出到外部连接部的金属布线图案,更详细地说,是关于一种触摸面板的布线结构,这种触摸面板的布线结构,在连结用图案的一侧与传感器电极相连接,在连结用图案的另一侧经由形成在绝缘覆层内的连通孔来与金属布线图案相连接。

背景技术

触摸面板是一种输入装置,可检测出接近输入操作区域或与输入操作区域接触的输入操作体的操作位置,并且输出到上位处理装置。依触摸面板所运用的检测原理的不同,可以将其区分成:电阻膜方式、电容方式、电磁感应方式等各种方式。在这些方式中,电阻膜方式和电容方式的触摸面板是在作为输入操作区域的绝缘基板上,形成了一个或多个用来检测出输入操作体的接近或接触的传感器电极。各传感器电极利用被配置在输入操作区域的周围的布线图案,使得传感器电极被引出到外部连接部,因为输入操作而产生于传感器电极的电信号经由布线图案与外部连接输出到用来检测输入操作位置的外部检测电路。

这种触摸面板通常是与配置在该触摸面板内侧的液晶面板等显示装置一起被使用,可以一边观看显示装置的显示内容,一边对于触摸面板的输入操作区域进行输入操作,因此绝缘基板是以透明的玻璃基板来形成的,传感器电极则采用透明导电性材料,也就是ITO(氧化铟锡)的披覆膜等。另一方面,因为输入操作而产生于传感器电极且流过布线图案的电信号很微弱,所以布线图案采用MAM(层叠了Mo(钼)/Al(铝)/Mo(钼)的三层结构的金属)之类的导电性金属材料,这种金属材料的每单位长度的电阻值比透明的传感器电极的电阻值更低。

此外,已知有一种触摸面板,因为流过布线图案的电信号很微弱,为了减少周围的电容的变化、以及因噪声所造成的影响,因而将其周围以接地图案围绕起来(参考专利文献1)。

因此,如图6、图7所示的那样,当接地图案103被形成在布线图案101与传感器电极102之间的情况下,需要利用隔着绝缘覆层104且跨过接地图案103的导电性连结用图案105,来将传感器电极102与布线图案101之间电连接。

这种传统的触摸面板的布线结构100,起初是在玻璃基板106上的整个表面通过溅射法来形成ITO的薄膜,运用光微影技术对于ITO的薄膜进行蚀刻,保留着玻璃基板106上的形成有传感器电极102、布线图案101以及接地图案103的区域,来制作出电路图案。

利用同样的工序,对于MAM薄膜以及绝缘合成树脂薄膜,进行电路图案的制作,如图7所示的那样,传感器电极102、布线图案101及接地图案103被由绝缘合成树脂构成的绝缘覆层104覆盖,在绝缘覆层104中的位于传感器电极102与布线图案105的上方的一部分的绝缘覆层104由蚀刻而除去,而形成一对连通孔TH1、TH2。此处,在布线图案101与接地线图案103的形成区域中,虽然是在同一个MAM薄膜上形成电路图案,但是将配置到外部连接部110为止的布线图案部分当作布线图案101,而将一部分接地的布线图案当作接地图案103。

在连通孔TH1与TH2的内底面,让形成了传感器电极102的ITO薄膜与形成了布线图案101的MAM薄膜分别面向该内底面,通过在连通孔TH1、TH2的内底面与处于其之间的绝缘覆层104上连续地形成的导电性连结用图案105,跨越过接地图案103而将传感器电极102与布线图案101利用连结用图案105来电连接。然后,将整个表面利用绝缘性的顶部披覆层107进行覆盖,从而制造成触摸面板。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2004-355545号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在上述的触摸面板的布线结构100中,虽然是对于绝缘覆层104的薄膜进行蚀刻来形成连通孔TH1、TH2,但是因为必须在宽度很细的布线图案101上形成连通孔TH2,所以必须进行细微加工。在涂布光阻剂后,利用光微影技术来进行电路图案的制作,然后,利用湿式蚀刻来形成TH1、TH2,并且以去除蚀刻工序的残渣为目的,进行干式蚀刻方式的洗净作业,最终形成了TH1、TH2。

连通孔TH2的内底面在被连结用图案105所覆盖之前,构成布线图案101的MAM薄膜直接露出,所以在加工工序中,很容易受到化学侵蚀。此外,面向连通孔TH2的内底面的MAM薄膜,在连通孔TH2的形成过程中会因为进行干式蚀刻而使得MAM薄膜受到氧化,因而导致MAM薄膜与后来形成在连通孔TH2的内底面的连结用图案101之间的密合性变差,因此担心会成为连接不良的原因。

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