[发明专利]CMOS晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括与NMOS晶体管对应的第一区域衬底和与PMOS晶体管对应的第二区域衬底；

在所述第一区域衬底表面形成第一栅极结构，且在所述第二区域衬底表面形成第二栅极结构；

形成覆盖所述第一栅极结构和第二栅极结构表面的硬掩膜层；

形成覆盖所述硬掩膜层和衬底表面的隔离介质层；

形成覆盖所述隔离介质层的应力层；

进行退火处理；

依次去除所述应力层和隔离介质层；

在第一区域衬底和覆盖第一栅极结构表面硬掩膜层上形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩模，在第二栅极结构及其表面硬掩膜层两侧的第二区域衬底内形成锗硅层；

去除所述硬掩膜层和掩膜层。

2.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离介质层的材质为氧化硅，所述应力层的材质为氮化硅。

3.如权利要求2所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述应力层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为磷酸溶液，所述磷酸溶液的温度为120℃~170℃。

4.如权利要求2所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述隔离介质层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为氢氟酸溶液。

5.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成掩膜层之前，形成覆盖所述衬底和硬掩膜层的保护层。

6.如权利要求5所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材质为氧化硅。

7.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氮化硅。

8.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力层为拉伸应力层。

9.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述应力层的厚度为30埃~200埃。

10.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理为尖峰退火，所述尖峰退火的温度为950℃~1055℃，时间为5s~60s。

11.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氮化硅。

12.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层和掩膜层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的溶液为磷酸溶液，所述磷酸溶液的温度为120℃~170℃。

13.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述硬掩膜层之前，在所述第一栅极结构的侧面形成第一偏移间隙壁，以及在所述第二栅极结构的侧面形成第二偏移间隙壁。

14.如权利要求13所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述第一偏移间隙壁和第二偏移间隙壁之后、形成硬掩膜层之前，还包括：对第一栅极结构和第一偏移间隙壁两侧的第一区域衬底进行轻掺杂离子注入，形成第一轻掺杂区；且对第二栅极结构和第二偏移间隙壁两侧的第二区域衬底进行轻掺杂离子注入，形成第二轻掺杂区。

15.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述锗硅层包括：

在所述第二栅极结构表面的硬掩膜层及其两侧的第二区域衬底表面形成包含凹槽图形的光刻胶层；

以所述掩膜层和光刻胶层为掩模，沿凹槽图形刻蚀所述第二区域衬底，在第二区域衬底内形成凹槽；

去除所述光刻胶层；

在所述凹槽内填充锗硅层。

16.如权利要求15所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述凹槽呈sigma状。

17.如权利要求1所述的CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在去除所述硬掩膜层和掩膜层之后，还包括：形成覆盖所述第一栅极结构侧壁的第一侧墙，并对所述第一侧墙两侧的第一区域衬底进行重掺杂离子注入，形成第一重掺杂区；且形成覆盖所述第二栅极结构侧壁的第二侧墙，并对所述第二侧墙两侧的锗硅层进行重掺杂离子注入，形成第二重掺杂区。