[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

多条选通线；

与所述多条选通线交叉的多条数据线；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中在所述半导体图案与所述栅极之间插入了栅绝缘膜；

第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述薄膜晶体管，并且包括像素接触孔以露出所述薄膜晶体管中的每一个的漏极；

像素电极，所述像素电极连接到所述漏极，并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及

公共电极，所述公共电极与所述像素电极一起形成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切结构提供的空间隔开。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板还包括：

栅焊盘，所述栅焊盘连接到所述多条选通线；以及

数据焊盘，所述数据焊盘连接到所述多条数据线。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述栅焊盘中的每一个包括：

栅焊盘下电极，其连接到所述多条选通线；

第一栅接触孔至第四栅接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜以及所述栅绝缘膜；以及

栅焊盘上电极，其连接到所述栅焊盘下电极，在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述栅焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述数据焊盘中的每一个包括：

数据焊盘下电极，其连接到所述多条数据线；

第一数据接触孔至第三数据接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜；以及

数据焊盘上电极，其连接到所述数据焊盘下电极，在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述数据焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述像素电极的厚度大于所述公共电极的厚度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第三钝化膜的宽度小于所述第二钝化膜的宽度。

7.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括：

通过第一掩模工序，在基板上形成包括栅极和选通线的第一导电图案；

在具有所述第一导电图案的所述基板上淀积栅绝缘膜，并且通过第二掩模工序在所述栅绝缘膜上形成包括半导体图案、源极和漏极以及数据线的第二导电图案；

在具有所述第二导电图案的所述基板上淀积第一钝化膜和第二钝化膜，并且通过第三掩模工序形成穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜并露出所述漏极的像素接触孔；以及

通过第四掩模工序，在所述第一钝化膜和所述第二钝化膜上形成包括公共电极和公共线的第三导电图案，同时形成与所述公共电极形成底切结构的第三钝化膜，并且通过掀离工序形成包括像素电极的第四导电图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第三导电图案和所述第四导电图案的形成包括：

在所述第一钝化膜和所述第二钝化膜上顺序地淀积第一透明电极层、所述第三钝化膜和光刻胶；

通过所述第四掩模工序，形成具有不同厚度的第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；

利用所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案，通过干法刻蚀工序，对所述第三钝化膜进行构图；

通过针对所述第一透明电极层的湿法刻蚀工序，形成与所述第三钝化膜具有底切结构的公共电极；

通过灰化所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案，去除所述第二光刻胶图案并减小所述第一光刻胶图案的厚度；

通过干法刻蚀工序，形成所述第三钝化膜与所述第一光刻胶图案的底切结构以及所述第三钝化膜的凹槽；以及

通过在所述第三钝化膜和所述第一光刻胶图案上淀积第二透明导电层并通过所述掀离工序去除所述第一光刻胶图案和形成在所述第一光刻胶图案上的所述第二透明导电层，在所述第三钝化膜的所述凹槽内形成所述像素电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述第一光刻胶图案与第三钝化膜之间形成空间。