[发明专利]薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法，更具体地，涉及减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造该薄膜晶体管基板的方法。

背景技术

液晶显示装置通过使用电场调整具有电介质各向异性的液晶的透光率来显示图像。这种液晶显示装置包括：液晶显示面板，其包括彼此相对地结合的薄膜晶体管基板和滤色器基板；背光单元，其向液晶显示面板照射光；以及驱动电路单元，其驱动液晶显示面板。

薄膜晶体管基板包括：在下基板上彼此交叉地形成的选通线和数据线，栅绝缘膜被置于选通线与数据线之间；形成在交叉位置处的薄膜晶体管（TFT）；像素电极，其通过接触孔连接到TFT的漏极；以及应用于薄膜晶体管基板的下配向膜。

滤色器基板包括用于实现颜色的滤色器、用于防止漏光的黑底、与像素电极形成垂直电场的公共电极以及应用于滤色器基板以对液晶进行定向的上配向膜。

液晶显示面板可按照扭曲向列（TN）模式形成，在该扭曲向列模式中，电极分别安装在两个基板上，液晶指向矢被定向为扭曲90°，并通过向所述电极施加电压而被驱动。此外，可使用共平面开关（IPS:in-plane switching）模式或边缘场开关（FFS:fringe field switching）模式，在IPS模式中，两个电极形成在一个基板上，并且通过两个电极之间产生的水平电场来调整液晶指向失，在FFS模式中，两个电极由透明导体形成，并两个电极之间的间隔被减小，使得液晶分子被两个电极之间形成的边缘场操作。

这里，制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法包括以下工序：使用第一掩模形成栅极；使用第二掩模形成半导体图案；使用第三掩模形成源极/漏极；使用第四掩模形成包括像素接触孔和焊盘区的接触孔的第一钝化膜；使用第五掩模形成像素电极；使用第六掩模形成包括像素接触孔和焊盘区的接触孔的第二钝化膜；以及使用第七掩模在第二钝化膜上形成公共电极。如上所述，这种制造FFS模式薄膜晶体管基板的方法至少需要7道掩模工序，因此可导致加工成本和加工时间增加。

发明内容

因此，本发明旨在一种薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法，它们大致上消除了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或多个问题。

本发明的目的在于提供一种减少了工序数量的薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法。

本发明的附加优点、目的和特征将在下面的描述中部分描述且将对于本领域普通技术人员在研究下文后变得明显，或可以通过本发明的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。

为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种薄膜晶体管基板包括：多条选通线；与所述多条选通线交叉的多条数据线；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中的每一个包括连接到所述多条选通线的栅极、连接到所述多条数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体图案，所述半导体图案与所述栅极交叠，其中栅绝缘膜被置于所述半导体图案与所述栅极之间；第一钝化膜至第三钝化膜，它们覆盖所述薄膜晶体管，并且包括露出每一个所述薄膜晶体管的漏极的像素接触孔；像素电极，其连接到所述漏极并且形成在所述第三钝化膜的凹槽内；以及公共电极，其与所述像素电极形成边缘场，并且所述公共电极与所述像素电极被所述公共电极与所述第三钝化膜的底切（undercut）结构提供的空间隔开。

所述薄膜晶体管基板还可以包括连接到所述多条选通线的栅焊盘以及连接到所述多条数据线的数据焊盘。

所述栅焊盘中的每一个可以包括：栅焊盘下电极，其连接到所述多条选通线；第一栅接触孔至第四栅接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜以及所述栅绝缘膜；以及栅焊盘上电极，其连接到所述栅焊盘下电极，所述栅焊盘上电极在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述栅焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。

所述数据焊盘中的每一个可以包括：数据焊盘下电极，其连接到所述多条数据线；第一数据接触孔至第三数据接触孔，它们穿过所述第一钝化膜至所述第三钝化膜；以及数据焊盘上电极，其连接到所述数据焊盘下电极，所述数据焊盘上电极在与所述像素电极相同的层中由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述数据焊盘上电极与所述公共电极被所述底切结构提供的空间隔开。

所述像素电极的厚度可以大于所述公共电极的厚度。

所述第三钝化膜的宽度可以小于所述第二钝化膜的宽度。