[发明专利]内置式电容触摸面板、显示器及制造方法无效
申请号: | 201210350298.X | 申请日: | 2012-09-19 |
公开(公告)号: | CN103294296A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 周星耀;耀绮君 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G02F1/1333 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内置 电容 触摸 面板 显示器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及触摸显示技术领域,尤其涉及一种内置式电容触摸面板、显示器及制造方法。
背景技术
内嵌在液晶显示器(LCD)内部的触摸屏因为可以和彩色滤光片(CF基板)集成在一起,有效的减少了整个显示装置的厚度及简化工艺,因而很受厂商欢迎。如图1和图2所示,内嵌式触摸屏包括彩色滤光片(CF基板)10、黑矩阵11、触摸层12(包括金属网格121、透明导电层122、第一绝缘层123和金属跨桥124)、色阻(R、G、B)13、第二绝缘层14、薄膜晶体管基板(TFT基板)20、TFT基板20上的电路电极21以及液晶层30。黑矩阵11位于CF基板10上,黑矩阵(BM)11上设置有若干可透光区域,与TFT基板20上的。触摸层12上设置有驱动线和感应线,驱动线和感应线纵横交错设置,手指触摸在驱动线和感应线的交点处时产生触控信号。色阻13位于触摸层12上且覆盖黑矩阵11的可透光区域,第二绝缘层14位于色阻13上。
如图2所示,上述结构的内嵌式触摸屏,由于触摸层的驱动走线和触控走线由金属网格121和透明导电层122组成,其中金属网格121可以通过设计被BM遮挡至不可见,而透明导电层122图形的刻缝可能会被人眼观察到,这是由于透明导电层122图形的刻缝开在了像素的所在区域(即可透光区域)。由于光透过有透明导电层122处和无透明导电层122处穿透率不一,导致人眼能觉察。而且对于不同波长,穿透率不一(图3),故R、G、B三色画面看到透明导电层122刻缝明显程度还不一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种内置式电容触摸面板、显示器及制造方法,将透明导电层的刻缝设置在合理位置,实现刻缝隐藏,提高显示效果。
为解决上述问题,本发明提供一种内嵌式电容触摸面板,包括基板以及依次形成在基板上的黑矩阵、透明导电层以及色阻,所述黑矩阵设有多个透光区域,所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方,其中,所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
进一步的,所述排列规律包括:在横向上依次排列R、G、B三种色阻,纵向上排列同种色阻。
进一步的,所纵向上的述黑矩阵不透光区域的线宽为7.0μm~8.0μm。
进一步的,所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽为24.5μm~26.5μm。
进一步的,所述透明导电层的横向刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方,纵向刻缝设置在同种色阻下方。
进一步的,所述透明导电层的横向刻缝线宽为所述横向上的黑矩阵不透光区域的线宽的0.1至0.9倍。进一步的,所述透明导电层横向刻缝线宽为3μm~22μm。
进一步的,所述透明导电层纵向刻缝线宽为一个像素的大小减去所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽至一个像素大小加上所述纵向上的黑矩阵不透光区域的线宽。
进一步的,所述透明导电层纵向刻缝线宽为33.5μm~38.5μm。
进一步的,所述的内嵌式电容触摸面板还包括:位于所述黑矩阵和透明导电层之间的金属网格。
进一步的,所述的内嵌式电容触摸面板还包括:位于所述透明导电层和色阻之间的第一绝缘层和金属跨桥。
进一步的,所述的内嵌式电容触摸面板还包括:依次形成于所述色阻上的第二绝缘层和光刻隔垫物。
进一步的,所述透明导电层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、碳纳米管或铝钛共掺杂氧化锌。
本发明还提供一种内嵌式电容触摸显示器,包括上述的内嵌式电容触摸面板。
本发明还提供一种制造上述的内嵌式电容触摸面板的方法,包括:
提供基板;
在所述基板上依次形成黑矩阵、透明导电层以及色阻,所述黑矩阵设有多个透光区域,所述色阻按照一定排列规律覆盖在所述黑矩阵的透光区域上方,所述透明导电层的刻缝设置在所述黑矩阵不透光区域上方和/或设置在同种色阻下方。
与现有技术相比,本发明提供的内嵌式电容触摸面板、显示器及制造方法,通过将透明导电层的刻缝隐藏在黑矩阵的不透光区域上方和/或同种色阻下方,提高了穿透率一致性,实现刻缝隐藏,避免刻缝图像显示,提高显示效果。
附图说明
图1是现有技术中一种内置式电容触摸显示器的剖面结构示意图;
图2是现有技术中ITO作透明导电层时的内置式电容触摸面板示意图;
图3是现有技术中ITO作透明导电层时的对各波长的光的透过率;
图4是本发明实施例一的内置式电容触摸面板示意图;
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