[发明专利]一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法有效
| 申请号： | 201210353144.6 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102912438A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋毅坚;徐宏;马云峰;王越 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 快速 生长 厘米 量级 ti ta sub 晶体 方法 | ||
1.一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，包括以下步骤：
(1)配料和料棒制备：将纯度不低于99.99%TiO2和Ta2O5的粉料按照化学计量比经过混合球磨、预烧；将预烧后的多晶粉料装入橡胶管中，然后放入等静压下压制成棒状的多晶棒；
(2)料棒和籽晶安装：将步骤（1）压制好的一根多晶棒固定在单晶炉的中轴线上部料棒杆上作为料棒，将另一根多晶棒放入中轴线的下部作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一条直线，调节料棒和籽晶的位置，使其接触，接触点与卤素灯处于同一水平线上；
(3)晶体生长：设置升温速率，用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，待形成稳定溶区后接种；通过聚焦镜的移动，形成组分过冷，实现结晶；
(4)降温冷却：设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤（1）中TiO2掺杂Ta2O5化学计量比范围是：TiO2占掺杂的Ta2O5的摩尔百分比不高于10at%，粉料的预烧温度为1350℃，预烧时间为12~24小时。
3.按照权利要求1的方法，其特征在于，（3）的晶体生长过程中，料棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为10~30rpm，设置晶体生长速度进行晶体生长，晶体生长速度为3-8mm/h。
4.按照权利要求1的方法，其特征在于，步骤（4）中降温时间为0.5~1.5h。
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