[发明专利]重新布线图形的形成方法

权利要求书

1.一种重新布线图形的制造方法，其特征在于，包括：

向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料，所述可显影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度；

在所述硅通孔内的可显影填充材料之上涂布光刻胶材料，所述光刻胶材料与所述可显影填充材料相兼容；

去除所述光刻胶，以形成重新布线图形，以及去除硅通孔内的可显影填充材料。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述可显影填充材料的填充深度为1/2~2/3的所述硅通孔的深度。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料具体为：分次向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料包括：

分次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料；

对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理；

使用显影液对经过烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理；

每次显影处理后对半导体基片进行冲洗。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，随着填充次数的递增，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量递减。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可显影填充材料时，使用的可显影填充材料剂量为10毫升~30毫升。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间随着分次涂布的可显影填充的剂量减少而缩短。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，对每次涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的时间为60秒~120秒。

9.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度~205摄氏度。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述每次对涂布处理后硅通孔中的可显影填充材料进行烘烤处理时，烘烤的温度为200摄氏度。

11.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的剂量为30毫升~60毫升。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述每次使用的显影液的剂量为50毫升。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述显影液为四甲基氢氧化铵。

14.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为23摄氏度~26摄氏度。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次使用的显影液的温度为25摄氏度。

16.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，显影液的浸泡时间随着显影次数的增加而依次递减。

17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述向半导体基片的硅通孔中填充可显影填充材料中，使用显影液对烘烤处理后硅通孔中的可显影填充材料进行多次显影处理时，每次显影液的浸泡时间为2分钟~6分钟。