[发明专利]CMOS 集成电路和放大电路

权利要求书

1.一种包括晶体管的互补型金属氧化物半导体（CMOS）集成电路，所述晶体管包括：

栅电极，其从栅极布线延伸出以形成梳状，并从信号输入端接收输入信号；

源电极，其从面向所述栅极布线的源极布线延伸出以形成梳状，并连接至接地端，所述源电极的梳齿插入在所述栅电极的梳齿之间的每隔一个的空间中；以及

漏电极，其从面向所述栅极布线的漏极布线延伸出以形成梳状，所述漏电极的梳齿插入在所述栅电极的梳齿之间的每隔一个的所述源电极的梳齿不存在的空间中，

其中，所述栅电极与所述源电极或所述漏电极之间的重叠区域不存在。

2.根据权利要求1所述的CMOS集成电路，其中，所述栅极布线与所述源电极之间的距离以及所述栅极布线与所述漏电极之间的距离被设置为允许所述晶体管的噪声系数具有预定值以下。

3.根据权利要求1所述的CMOS集成电路，其中，所述栅极布线与所述源电极之间的距离以及所述栅极布线与所述漏电极之间的距离大于由工艺规则确定的最小距离。

4.根据权利要求3所述的CMOS集成电路，其中，所述源电极的梳齿之间的距离以及所述漏电极的梳齿之间的距离大于由所述工艺规则确定的最小距离。

5.根据权利要求1所述的CMOS集成电路，其中，所述CMOS集成电路形成在绝缘体上硅（SOI）衬底上。

6.一种放大电路，其包括根据权利要求1至5中任一项所述的CMOS集成电路。