[发明专利]用于光蚀刻法的组合物和防反射涂层

权利要求书

1.一种组合物，其包括至少以下的A和B:

A)含有以下的结构单元1的聚合物:

其中

L是CX-CYZ，其中X、Y、和Z各自独立地选自氢、烷基、或者取代的烷基；和,

M是亚烷基、亚芳基、取代的亚烷基、取代的亚芳基、或者C(O)O-W-，其中W是亚烷基或者取代的亚烷基；和

R’、R”、和R”’各自独立地选自芳族烃、脂族烃、或者取代的烃，其含有O，N，S，或者Si原子中的一个或者多个，条件是R’、R”和R”’中的至少一个选自烷氧基、芳氧基、羟基、卤素、羧基、或者碳酸酯；和,

p是1至10,000的整数；和

条件是该聚合物不含有多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)结构；和

B)由第一组合物形成的聚合物，所述第一组合物包括以下的至少一种:

a)选自式1的化合物F1:

(式1),

其中Ra包括一个或多个多重键，条件是，如果Ra含有多于一个多重键，那么这些多重键不为共轭的构型；和

R1、R2、和R3各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；

b)选自式2的化合物F2:

(式2),

其中Rb选自H或者饱和的基团，所述饱和的基团包括烷基，烷撑，或者烷叉；和R4、R5、和R6各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；

c)选自式3的化合物F3:

(式3),

其中Rc包括多于一个多重键，和这些多重键为共轭的构型；和R7、R8、和R9各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或者取代的烷基；和/或

d)选自式4的化合物F4:

(式4),

其中R10、R11、R12、和R13各自独立地选自烷氧基、羟基、卤素、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是烷基或取代的烷基。

2.权利要求1的组合物，其中在结构单元(1)中，X、Y、和Z各自独立地选自氢或者C1-C10烷基。

3.权利要求1或2的组合物，其中，在结构单元(1)中，M是C1至C10亚烷基，C 1至C10亚芳基，或者C(O)O-W-，和W是C1至C 10亚烷基。

4.前述权利要求中任一项的组合物，其中，在结构单元(1)中，R’、R”、和R”’各自独立地选自C1至C10脂族烃、C1至C10芳族烃、OH、OR、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是C1至C10脂族烃，或者C1至C10芳族烃，条件是R’、R”、和R”’中至少一个是OH、OR、OC(O)R，或者OC(O)OR。

5.前述权利要求中任一项的组合物，其中，在结构单元(1)中，X、Y、和Z各自独立地选自氢，或者C1至C10烷基；和

M是C1至C10亚烷基，C1至C10亚芳基，或者C(O)O-W-，和W是C1至C10亚烷基；和

R’、R”、和R”’各自独立地选自C1至C10脂族烃、C1至C10芳族烃、OH、OR、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是C1至C10脂族烃，或者C1至C10芳族烃，条件是R’、R”、和R”’中至少一个是OH、OR、OC(O)R、或者OC(O)OR；和

P是10至1000的整数。

6.前述权利要求中任一项的组合物，其中，在结构单元(1)中，X、Y、和Z各自独立地选自氢或者甲基；和

M是亚苯基或者C(O)O-W-，和W是C1至C4亚烷基；和

R’、R”、和R”’各自独立地选自OH、OR、OC(O)R、或者OC(O)OR，其中R是甲基，乙基，正丙基，2-丙基，正丁基，异丁基，或者2-丁基；和

p是10至500的整数。

7.前述权利要求中任一项的组合物，其中结构单元(1)具有以下结构结构:

其中T是H或者甲基；R是甲基或和乙基；n是1至3的整数；和p是10至500的整数。

8.前述权利要求中任一项的组合物，其中结构单元(1)是聚(3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)。